• سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات
  • سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات
  • سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات
  • سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات
  • سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات
سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات

سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ: الصين
اسم العلامة التجارية: zmkj
رقم الموديل: إنب

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية: 3 قطع
الأسعار: by case
تفاصيل التغليف: حزمة بسكويت ويفر واحدة في غرفة تنظيف 1000 درجة
وقت التسليم: 2-4 أسابيع
شروط الدفع: T / T ، ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 500 قطعة
افضل سعر اتصل

معلومات تفصيلية

مواد: إنب طريقة النمو: vFG
بحجم: 2 ~ 4 بوصة سماكة: 350-650 ميكرومتر
تطبيق: III-V مادة أشباه الموصلات ذات فجوة الحزمة المباشرة سطح - المظهر الخارجي: ssp / dsp
صفقة: مربع رقاقة واحدة
تسليط الضوء:

ركيزة أشباه الموصلات InP

,

ركيزة بلورية أحادية أشباه الموصلات

,

رقائق 650um InP

منتوج وصف

رقائق 2 بوصة InP 3 بوصة 4 بوصة N / P TYPE InP رقاقات الركيزة شبه الموصلة مخدر S + / Zn + / Fe +

 

يستخدم النمو (طريقة VFG المعدلة) لسحب بلورة مفردة من خلال مادة تغليف سائلة بأكسيد البوريك بدءًا من بذرة.

تضاف المادة المثبطة (Fe ، S ، Sn أو Zn) إلى البوتقة مع البولي كريستال.يتم تطبيق ضغط عالٍ داخل الغرفة لمنع تحلل فوسفيد الإنديوم.هو الشركة لقد طور عملية لإنتاج قياس متكافئ كامل ، ونقاء عالي ، وكثافة إزاحة منخفضة في بلورة مفردة P.

تعمل تقنية VFG على تحسين طريقة LEC بفضل تقنية الحاجز الحراري المرتبطة بالرقم

نمذجة ظروف النمو الحراري.tCZ هي تقنية ناضجة وفعالة من حيث التكلفة مع إمكانية استنساخ عالية الجودة من الكرة إلى الكرة.

 

التطبيقات:
يتميز IIt بمزايا سرعة الانجراف الإلكترونية العالية ، ومقاومة الإشعاع الجيدة والتوصيل الحراري الجيد.مناسبة لتصنيع أجهزة الميكروويف عالية التردد وعالية السرعة وعالية الطاقة والدوائر المتكاملة.

 

الميزات:
1. يزرع البلور عن طريق تكنولوجيا الرسم المستقيم السائل المختوم (LEC) ، مع التكنولوجيا الناضجة والأداء الكهربائي المستقر.
2 ، باستخدام أداة اتجاه الأشعة السينية للتوجيه الدقيق ، يكون انحراف اتجاه البلورة ± 0.5 درجة فقط
3 ، الرقاقة مصقولة بواسطة تقنية تلميع ميكانيكي كيميائي (CMP) ، خشونة السطح <0.5 نانومتر
4 ، لتحقيق متطلبات "المربع المفتوح جاهز للاستخدام"
5 ، وفقا لمتطلبات المستخدم والمواصفات الخاصة تجهيز المنتج

 

سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات 0

سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات 1

سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات 2

             
الحجم (مم) يمكن تخصيص Dia50.8x0.5mm ، 10 × 10 × 0.5mm ، 10 × 5 × 0.5mm
را خشونة السطح (رع): <= 5A
تلميع جانب واحد أو مزدوج مصقول
صفقة كيس تنظيف بلاستيكي بدرجة 100 في 1000 غرفة تنظيف

 

سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات 3سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات 4

---التعليمات -

س: هل أنت شركة تجارية أو مصنع؟

ج: zmkj هي شركة تجارية ولكن لديها مصنع الياقوت
كمورد لرقائق المواد شبه الموصلة لمجموعة واسعة من التطبيقات.

س: ما هي مدة التسليم؟

ج: بشكل عام يكون من 5-10 أيام إذا كانت البضاعة في المخزون.أو 15-20 يومًا إذا لم تكن البضاعة

في المخزون ، حسب الكمية.

س: هل تقدمون عينات؟هل هو مجاني أم إضافي؟

ج: نعم ، يمكننا تقديم العينة مجانًا ولكن لا ندفع تكلفة الشحن.

س: ما هي شروط الدفع الخاصة بك؟

ج: الدفع <= 1000 دولار أمريكي ، 100٪ مقدمًا.الدفع> = 1000 دولار أمريكي ،
50٪ T / T مقدما ، التوازن قبل الشحن.
إذا كان لديك سؤال آخر ، فلا تتردد في الاتصال بنا على النحو التالي:

تريد أن تعرف المزيد من التفاصيل حول هذا المنتج
أنا مهتم بذلك سميكة 650um 4 بوصة الركيزة الكريستال واحد InP أشباه الموصلات هل يمكن أن ترسل لي مزيدًا من التفاصيل مثل النوع والحجم والكمية والمواد وما إلى ذلك.
شكر!