 |
4 بوصة N نوع 15 درجة أشباه الموصلات الركيزة Si مخدر GaAs رقاقة SSP
تفاصيل المنتج:
| مكان المنشأ: | الصين |
| اسم العلامة التجارية: | zmkj |
| رقم الموديل: | GaAs-N-3 بوصة |
شروط الدفع والشحن:
| الحد الأدنى لكمية: | 5 قطع |
|---|---|
| الأسعار: | 100-200usd/pcs |
| تفاصيل التغليف: | في علبة واحدة أو 25 قطعة رقاقة كاسيت بواسطة حزمة فراغ |
| وقت التسليم: | 2-4 أسابيع |
| شروط الدفع: | T / T ، ويسترن يونيون |
| القدرة على العرض: | 2000pcs شهريا |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| مادة: | بلور GaAs | طريقة: | VGF |
|---|---|---|---|
| بحجم: | ديا 76.2 ملم | سماكة: | 350um |
| سطح: | DSP | تطبيق: | أدى ، ld الجهاز |
| نوع: | نوع N. | منشطات: | مخدر SI |
| تسليط الضوء: | رقاقة Si doped GaAs,طبقة أشباه الموصلات GaAs Wafe,رقاقة SSP من النوع N |
||
منتوج وصف
VFG metod N-type 2inch / 3inch، 4inch، 6inch dia150mm GaAs Gallium Arsenide Wafers N-type
نوع شبه عازل للإلكترونيات الدقيقة ،
-------------------------------------------------- -------------------------------------------------- ----------
(GaAs) رقائق أرسينيد الغاليوم
زرنيخيد الغاليوم (GaAs) هو مركب من عنصري الغاليوم والزرنيخ.إنه أشباه الموصلات ذات فجوة الحزمة المباشرة III-V
مع هيكل بلوري من مزيج الزنك.
يستخدم زرنيخيد الغاليوم في تصنيع أجهزة مثل الدوائر المتكاملة بتردد الميكروويف ، متجانسة
دوائر الميكروويف المتكاملة ، الصمامات الثنائية الباعثة للضوء بالأشعة تحت الحمراء ، صمامات الليزر ، الخلايا الشمسية والنوافذ البصرية.
غالبًا ما يستخدم GaAs كمواد ركيزة للنمو فوق المحور لأشباه الموصلات III-V الأخرى بما في ذلك زرنيخيد الإنديوم الغاليوم ،
زرنيخيد الغاليوم الألومنيوم وغيرها.
.
ميزة رقاقة GaAs والتطبيق
| ميزة | مجال التطبيق |
|---|---|
| حركة عالية للإلكترون | الثنائيات الباعثة للضوء |
| تردد عالي | ثنائيات الليزر |
| كفاءة تحويل عالية | الأجهزة الكهروضوئية |
| استهلاك منخفض للطاقة | ترانزستور عالي الحركة للإلكترون |
| فجوة النطاق المباشر | الترانزستور ثنائي القطب غير المتجانسة |
تخصيص
GaAs غير المنفذة
مواصفات GaAs شبه العازلة
| طريقة النمو | VGF |
| Dopant | كربون |
| شكل رقاقة * | دائري (DIA: 2 "و 3" و 4 "و 6") |
| اتجاه السطح ** | (100) ± 0.5 درجة |
* 5 "رقائق متوفرة عند الطلب
** قد تتوفر اتجاهات أخرى عند الطلب
| المقاومة (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| التنقل (سم2/ضد) | 5000 ين | 4000 ين |
| كثافة الحفر في الملعب (سم2) | 1500-5000 | 1500-5000 |
| قطر الرقاقة (مم) | 50.8 ± 0.3 | 76.2 ± 0.3 | 100 ± 0.3 | 150 ± 0.3 |
| سماكة (µm) | 350 ± 25 | 625 ± 25 | 625 ± 25 | 675 ± 25 |
| TTV [P / P] (ميكرومتر) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P / E] (ميكرومتر) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| WARP (ميكرومتر) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| من (مم) | 17 ± 1 | 22 ± 1 | 32.5 ± 1 | الشق |
| OF / IF (مم) | 7 ± 1 | 12 ± 1 | 18 ± 1 | غير متاح |
| تلميع* | E / E ، P / E ، P / P | E / E ، P / E ، P / P | E / E ، P / E ، P / P | E / E ، P / E ، P / P |
* E = محفور ، P = مصقول
المنتجات ذات الصلة بقائمة الجرد | |
2 بوصة SI-Dopant N- نوع غاليوم أرسينيد رقاقة ، SSP / DSP | تطبيقات LED / LD |
4 بوصة SI-Dopant N- نوع غاليوم أرسينيد رقاقة ، SSP / DSP | تطبيقات LED / LD |
6 بوصة SI-Dopant N- نوع غاليوم أرسينيد رقاقة ، SSP / DSP | تطبيقات LED / LD |
2 بوصة غير معبأ من أرسينيد الغاليوم ، SSP / DSP | تطبيقات الإلكترونيات الدقيقة |
4 بوصة أونوبد جاليوم أرسينيد ويفر ، SSP / DSP | تطبيقات الإلكترونيات الدقيقة |
6 بوصة أونوبد جاليوم أرسينيد ويفر ، SSP / DSP | تطبيقات الإلكترونيات الدقيقة |
تسليم الطرود
التعليمات والاتصال
هذا هو إريك وانغ ، مدير مبيعات zmkj ، شركتنا الواقعة في شنغهاي ، الصين.وقت خدمتنا هو كل الوقت من الاثنين إلى السبت.نأسف للإزعاج الناجم عن فارق التوقيت.في حالة وجود أي أسئلة ، يمكنك ترك رسالة عبر البريد الإلكتروني الخاص بي وإضافة WeChat أيضًا ، تطبيق whats ، Skype ، سأكون متصلاً بالإنترنت.مرحبا بكم في الاتصال بي!
س: هل أنت شركة تجارية أو مصنع؟ج: لدينا منطقتنا لتلفيق رقاقة.
س: ما هي مدة التسليم؟ ج: بشكل عام يكون من 1-5 أيام إذا كانت البضاعة في المخزن ، وإذا لم تكن كذلك ، فإنها تكون لمدة 2-3 أسابيع
س: هل تقدمون عينات؟هل هو مجاني أم إضافي؟ج: نعم ، يمكننا تقديم عينة مجانية ببعض الحجم.
س: ما هي شروط الدفع الخاصة بك؟ ج: للعمل الأول 100 ％ قبل التسليم.