 
|
مربعة SiC Windows ركيزة كربيد السيليكون 2 بوصة 4 بوصة 6 بوصة 8 بوصة
تفاصيل المنتج:
| مكان المنشأ: | الصين |
| اسم العلامة التجارية: | ZMKJ |
| إصدار الشهادات: | ROHS |
| رقم الموديل: | 10x10x0.5 ملم |
شروط الدفع والشحن:
| الحد الأدنى لكمية: | 1 قطع |
|---|---|
| الأسعار: | by case |
| تفاصيل التغليف: | حزمة بسكويت ويفر واحدة في غرفة تنظيف 100 درجة |
| وقت التسليم: | 1-6 اسابيع |
| شروط الدفع: | تي / تي ، ويسترن يونيون ، موني جرام |
| القدرة على العرض: | 1-50 قطعة / شهر |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| مادة: | نوع الكريستال SiC أحادي 4H-N | درجة: | صفر ، بحث ، ودرجة دنمي |
|---|---|---|---|
| thicnkss: | 0.1 0.2 0.3 0.35 0.43 0.5 | طلب: | مركبات الطاقة الجديدة ، اتصالات 5G |
| قطر الدائرة: | 2-8 بوصة أو 10x10 مم ، 5 × 10 مم: | لون: | شاي أخضر |
| تسليط الضوء: | رقاقة كربيد السيليكون 4 بوصة,ركيزة نافذة كربيد السيليكون,رقاقة مربعة SiC |
||
منتوج وصف
رقاقة كربيد السيليكون البصرية 1/2/3 بوصة رقاقة SIC للبيع SIC Plate Silicon Wafer Flat Orientation Enterprises للبيع 4 بوصة 6 بوصة رقاقة SIC بسماكة 1.0 مم 4h-N SIC رقاقة كربيد السيليكون لنمو البذور 6H-N / 6H-Semi 4H HPSI 5 * 10mmt 10x10mmt 5 * 5mm مصقول كربيد السيليكون رقائق الركيزة كذا رقاقة
حول كريستال كربيد السيليكون (كربيد السيليكون)
كربيد السيليكون (SiC) ، أو الكربوراندوم ، عبارة عن أشباه موصلات تحتوي على السيليكون والكربون بالصيغة الكيميائية SiC.يستخدم SiC في الأجهزة الإلكترونية شبه الموصلة التي تعمل في درجات حرارة عالية ، أو الفولتية العالية ، أو كليهما.SiC هو أيضًا أحد مكونات LED المهمة ، وهو ركيزة شائعة لأجهزة GaN المتنامية ، كما أنه يعمل كموزع حراري في مصابيح LED عالية الطاقة.
|
ملكية
|
4H-SiC ، بلورة واحدة
|
6H-SiC ، بلورة واحدة
|
|
معلمات شعرية
|
أ = 3.076 Å ج = 10.053 Å
|
أ = 3.073 Å ج = 15.117 Å
|
|
تسلسل التراص
|
ABCB
|
ABCACB
|
|
صلابة موس
|
≈9.2
|
≈9.2
|
|
كثافة
|
3.21 جم / سم 3
|
3.21 جم / سم 3
|
|
ثيرم.معامل التمدد
|
4-5 × 10-6 / ك
|
4-5 × 10-6 / ك
|
|
مؤشر الانكسار @ 750 نانومتر
|
لا = 2.61
ني = 2.66 |
لا = 2.60
ني = 2.65 |
|
ثابت العزل الكهربائي
|
ج ~ 9.66
|
ج ~ 9.66
|
|
الموصلية الحرارية (نوع N ، 0.02 أوم.سم)
|
~ 4.2 واط / سم · ك @ 298 ك
ج ~ 3.7 واط / سم · ك @ 298 ك |
|
|
الموصلية الحرارية (شبه عازلة)
|
~ 4.9 واط / سم · كلفن 298 كيلو
~ 3.9 واط / سم · ك @ 298 ك |
~ 4.6 واط / سم · ك @ 298 ك
ج ~ 3.2 واط / سم · ك @ 298 ك |
|
فجوة الفرقة
|
3.23 فولت
|
3.02 فولت
|
|
مجال الانهيار الكهربائي
|
3-5 × 106 فولت / سم
|
3-5 × 106 فولت / سم
|
|
سرعة الانجراف التشبع
|
2.0 × 105 م / ث
|
2.0 × 105 م / ث
|
مواصفات الركيزة كربيد السيليكون (SiC) عالية النقاء بقطر 4 إنش
| 2 بوصة قطرها كربيد السيليكون (SiC) مواصفات الركيزة | ||||||||||
| درجة | درجة صفر MPD | درجة الإنتاج | درجة البحث | الدرجة الوهمية | ||||||
| قطر الدائرة | 50.8 مم ± 0.2 مم | |||||||||
| سماكة | 330 ميكرومتر ± 25 ميكرومتر أو 430 ± 25 ميكرومتر | |||||||||
| توجيه بسكويت الويفر | خارج المحور: 4.0 ° نحو <1120> ± 0.5 ° لـ 4H-N / 4H-SI على المحور: <0001> ± 0.5 ° لـ 6H-N / 6H-SI / 4H-N / 4H-SI | |||||||||
| كثافة الأنابيب الدقيقة | ≤0 سم -2 | ≤5 سم -2 | ≤15 سم -2 | ≤100 سم -2 | ||||||
| المقاومة النوعية | 4H-N | 0.015 ~ 0.028 Ω • سم | ||||||||
| 6H-N | 0.02 ~ 0.1 Ω • سم | |||||||||
| 4 / 6H-SI | ≥1E5 Ω · سم | |||||||||
| شقة أساسية | {10-10} ± 5.0 درجة | |||||||||
| الطول الأساسي المسطح | 18.5 ملم ± 2.0 ملم | |||||||||
| طول مسطح ثانوي | 10.0 ملم ± 2.0 ملم | |||||||||
| الاتجاه الثانوي المسطح | وجه السيليكون لأعلى: 90 درجة مئوية.من شقة Prime ± 5.0 ° | |||||||||
| استبعاد الحافة | 1 ملم | |||||||||
| TTV / القوس / الاعوجاج | ≤10μm / ≤10μm / 15μm | |||||||||
| خشونة | البولندية Ra≤1 نانومتر | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 نانومتر | ||||||||||
| تشققات بواسطة الضوء عالي الكثافة | لا أحد | 1 مسموح ، ≤2 مم | الطول التراكمي ≤ 10 مم ، طول واحد 2 مم | |||||||
| ألواح سداسية بإضاءة عالية الكثافة | المساحة التراكمية ≤1٪ | المساحة التراكمية ≤1٪ | المساحة التراكمية ≤3٪ | |||||||
| مناطق متعددة الأنواع بواسطة إضاءة عالية الكثافة | لا أحد | المساحة التراكمية ≤2٪ | المساحة التراكمية ≤5٪ | |||||||
| خدوش بضوء عالي الشدة | 3 خدوش حتى 1 × طول تراكمي للرقاقة | 5 خدوش حتى 1 × طول تراكمي للرقاقة | 5 خدوش حتى 1 × طول تراكمي للرقاقة | |||||||
| رقاقة حافة | لا أحد | 3 سمح ، 0.5 ملم لكل منهما | 5 سمح ، 1 ملم لكل منهما | |||||||
تطبيقات SiC
تتميز بلورات كربيد السيليكون (SiC) بخصائص فيزيائية وإلكترونية فريدة.تم استخدام الأجهزة القائمة على كربيد السيليكون في تطبيقات الإلكترونيات الضوئية ذات الطول الموجي القصير ، ودرجات الحرارة العالية ، والتطبيقات المقاومة للإشعاع.تتفوق الأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة وعالية التردد المصنوعة من SiC على الأجهزة القائمة على Si و GaAs.فيما يلي بعض التطبيقات الشائعة لركائز SiC.
منتجات اخرى
8 بوصة SiC رقاقة الدمية 2 بوصة رقاقة SiC
التعبئة والتغليف - اللوجستيات
نحن نهتم بكل تفاصيل العبوة والتنظيف ومقاومة الكهرباء الساكنة وعلاج الصدمات.
وفقًا لكمية المنتج وشكله ، سنتخذ عملية تغليف مختلفة!تقريبًا بواسطة أشرطة بسكويت ويفر مفردة أو 25 قطعة في غرفة التنظيف 100 درجة.