 |
ركائز كريستال إيناس ويفر نوع N لـ MBE 99.9999٪ أحادي البلورية
تفاصيل المنتج:
| مكان المنشأ: | الصين |
| اسم العلامة التجارية: | zmkj |
| إصدار الشهادات: | ROHS |
| رقم الموديل: | زرنيخيد الإنديوم (InAs) |
شروط الدفع والشحن:
| الحد الأدنى لكمية: | 3 قطع |
|---|---|
| الأسعار: | by case |
| تفاصيل التغليف: | حزمة بسكويت ويفر واحدة في غرفة تنظيف 1000 درجة |
| وقت التسليم: | 2-4 أسابيع |
| شروط الدفع: | تي / تي ، ويسترن يونيون |
| القدرة على العرض: | 500 قطعة |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| مادة: | زرنيخيد الإنديوم (InAs) ركيزة رقاقة | طريقة النمو: | تشيكوسلوفاكيا |
|---|---|---|---|
| مقاس: | 2 بوصة 3 بوصة 4 بوصة | سماكة: | 300-800 ميكرومتر |
| طلب: | III-V مادة أشباه الموصلات ذات فجوة الحزمة المباشرة | سطح: | مصقول أو محفور |
| طَرد: | مربع رقاقة واحدة | يكتب: | نوع N و P. |
| تسليط الضوء: | ركائز بلورية من InAs,نوع N InAs Wafer,ركيزة MBE InAs |
||
منتوج وصف
ركائز كريستال ويفر 2 بوصة 3 بوصة 4 بوصة من النوع N لـ MBE 99.9999٪ أحادي البلورية
إدخال ركيزة InAs
إنديوم إنديوم أو زرنيخيد إنديوم أحادي هو أشباه موصلات تتكون من الإنديوم والزرنيخ.إنه ذو مظهر بلوري مكعب رمادي بنقطة انصهار تبلغ 942 درجة مئوية.يستخدم زرنيخيد الإنديوم لبناء كاشفات الأشعة تحت الحمراء بمدى طول موجي من 1-3.8 ميكرومتر.عادة ما يكون الكاشف ثنائيًا ضوئيًا ضوئيًا ضوئيًا.تتمتع كاشفات التبريد المبردة بضوضاء أقل ، ولكن يمكن أيضًا استخدام كاشفات InAs للتطبيقات عالية الطاقة في درجة حرارة الغرفة.يستخدم زرنيخيد الإنديوم أيضًا في صناعة ليزر الصمام الثنائي.زرنيخ الإنديوم مشابه لزرنيخيد الغاليوم وهو مادة فجوة نطاق مباشر.يستخدم زرنيخيد الإنديوم أحيانًا مع فوسفيد الإنديوم.سبيكة مع زرنيخيد الغاليوم لتكوين زرنيخ الإنديوم - مادة تعتمد فجوة نطاقها على نسبة In / Ga.تشبه هذه الطريقة بشكل أساسي خلط نيتريد الإنديوم مع نيتريد الغاليوم لإنتاج نيتريد الإنديوم.يُعرف زرنيخيد الإنديوم بحركته العالية للإلكترون وفجوة النطاق الضيقة.يستخدم على نطاق واسع كمصدر إشعاع تيراهيرتز لأنه باعث ضوئي قوي كهرماني.
ميزات رقاقة InAs:
* مع نسبة الحركة والتنقل العالية للإلكترون (μe / μh = 70) ، فهي مادة مثالية لأجهزة Hall.
* يمكن زراعة MBE باستخدام مواد متعددة المحاور GaAsSb و InAsPSb و InAsSb.
* طريقة الختم السائل (تشيكوسلوفاكيا) ، تضمن أن نقاوة المواد يمكن أن تصل إلى 99.9999٪ (6N).
* جميع الركائز مصقولة بدقة ومليئة بجو وقائي لتلبية متطلبات Epi-Ready.
* اختيار اتجاه الكريستال: يتوفر اتجاه بلوري آخر ، على سبيل المثال (110).
* تضمن تقنيات القياس البصري ، مثل قياس القطع الناقص ، سطحًا نظيفًا على كل ركيزة.
| مواصفات ويفر ايناس | ||||||||||
| شرائح قطرها | 2 بوصة | 3 " | ||||||||
| توجيه | (100) +/- 0.1 درجة | (100) +/- 0.1 درجة | ||||||||
| القطر (مم) | 50.5 +/- 0.5 | 76.2 +/- 0.4 | ||||||||
| خيار مسطح | EJ | EJ | ||||||||
| التسامح المسطح | +/- 0.1 درجة | +/- 0.1 درجة | ||||||||
| الطول المسطح الرئيسي (مم) | 16 +/- 2 | 22 +/- 2 | ||||||||
| الطول المسطح البسيط (مم) | 8 +/- 1 | 11 +/- 1 | ||||||||
| سماكة (أم) | 500 +/- 25 | 625 +/- 25 | ||||||||
| المواصفات الكهربائية و Dopant | ||||||||||
| Dopant | يكتب | الناقل تركيز سم -3 | إمكانية التنقل سم ^ 2 • V ^ -1 • s ^ -1 | |||||||
| مكشوف | ن نوع | (1-3) * 10 ^ 16 | > 23000 | |||||||
| نسبة كبريت منخفضة | ن نوع | (4-8) * 10 ^ 16 | 25000-15000 | |||||||
| ارتفاع نسبة الكبريت | ن نوع | (1-3) * 10 ^ 18 | 12000-7000 | |||||||
| زنك منخفض | نوع p | (1-3) * 10 ^ 17 | 350-200 | |||||||
| ارتفاع الزنك | نوع p | (1-3) * 10 ^ 18 | 250-100 | |||||||
| EPD سم ^ -2 | 2 "<= 15000 3 "<= 50000 | |||||||||
| مواصفات التسطيح | ||||||||||
| شكل رقاقة | 2 بوصة | 3 " | ||||||||
| البولندية / محفورا | TTV (أم) | <12 | <15 | |||||||
| القوس (أم) | <12 | <15 | ||||||||
| الاعوجاج (أم) | <12 | <15 | ||||||||
| البولندية / البولندية | TTV (أم) | <12 | <15 | |||||||
| القوس (أم) | <12 | <15 | ||||||||
| الاعوجاج (أم) | <12 | <15 | ||||||||
---التعليمات -
س: هل أنت شركة تجارية أو مصنع؟
ج: zmkj هي شركة تجارية ولكن لديها مصنع الياقوت
كمورد لرقائق المواد شبه الموصلة لمجموعة واسعة من التطبيقات.
س: ما هي مدة التسليم؟
ج: بشكل عام يكون من 5-10 أيام إذا كانت البضاعة في المخزون.أو 15-20 يومًا إذا لم تكن البضاعة
في المخزون ، حسب الكمية.