رقاقة كربيد السيليكون

دردشة اتصل بنا

رقاقة كربيد السيليكون

مقاطع فيديو أخرى

April 08, 2025

فئة الارتباط: كربيد السيليكون رقاقة

دردشة اتصل بنا

العلامات:

#الركيزة كربيد السيليكون #رقاقة كيك,السيليكون على رقائق الياقوت #رقاقة رقاقة

قصيرة: Discover the High Purity Semi-Insulating HPSI SiC Powder, a 99.9999% purity material essential for power electronics, optoelectronic devices, and high-temperature applications. Learn how this advanced silicon carbide powder drives next-generation semiconductor crystal growth.

خصائص المنتج ذات الصلة:

Exceptional purity of ≥ 99.9999% (6N) for high-performance applications.
Particle size ranges from 0.5 µm to 10 µm for uniform processing.
High resistivity between 10⁵ - 10⁷ Ω*cm for semi-insulating properties.
Superior thermal conductivity of ~490 W/m*K for efficient heat dissipation.
فجوة واسعة من ~ 3.26 eV ، مثالية لأجهزة عالية الطاقة و عالية التردد.
Extreme hardness with a Mohs rating of 9.5 for durability.
Used in Physical Vapor Transport (PVT) for SiC single crystal growth.
Customizable particle size, purity, and doping for specific needs.

أسئلة وأجوبة:

What is HPSI silicon carbide (SiC) powder used for?

HPSI SiC powder is used in sandblasting injectors, automotive water pump seals, bearings, pump components, and extrusion dies, leveraging its high hardness, abrasion resistance, and corrosion resistance.
ما هو مسحوق HPSI كربيد السيليكون (SiC) ؟

مسحوق كربيد السيليكون HPSI (المُلبّد عالي النقاء) هو مادة SiC عالية النقاء وعالية الكثافة يتم تصنيعها من خلال عمليات التلبيد المتقدمة، وهي مثالية لأشباه الموصلات والتطبيقات عالية الأداء.
Can HPSI SiC powder be customized for specific applications?

Yes, HPSI SiC powder can be tailored in terms of particle size, purity level, and doping concentration to meet specific industrial or research requirements.
How does HPSI SiC powder directly impact semiconductor wafer quality?

Its purity, particle size, and crystal phase directly determine the quality and performance of semiconductor wafers, ensuring high efficiency and reliability in electronic devices.