 |
مربع بصري 40x3mmt 6H-N Sic Silicon Carbon Chips
تفاصيل المنتج:
| مكان المنشأ: | الصين |
| اسم العلامة التجارية: | ZMKJ |
| رقم الموديل: | 6 ساعات ن |
شروط الدفع والشحن:
| الحد الأدنى لكمية: | 10 قطع |
|---|---|
| الأسعار: | by case |
| تفاصيل التغليف: | حزمة رقاقة واحدة في غرفة تنظيف 100 درجة |
| وقت التسليم: | 1-6 أسابيع |
| شروط الدفع: | تي / تي ، ويسترن يونيون ، موني جرام |
| القدرة على العرض: | 1-50pcs / شهر |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| مواد: | بلورة واحدة كربيد كربيد | صلابة: | 9.4 |
|---|---|---|---|
| شكل: | تخصيص 40X3x0.33mmt | تسامح: | ± 0.1 مم |
| طلب: | بصري | يكتب: | 6h ن |
| المقاومة النوعية: | 0.1 ~ 1. سم | سماكة: | 10-15 ملم طيب |
| سطح: | SSP | ||
| تسليط الضوء: | Sic Silicon Carbon Chips,6H-N Silicon Carbon Chips,40x3mmt Silicon Carbon Chips |
||
منتوج وصف
2 بوصة / 3 بوصة / 4 بوصة / 6 بوصة 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N سبائك SIC / عالية النقاء 4H-N 4 بوصة 6 بوصة ديا 150 مم كربيد السيليكون أحادي الكريستال (كذا) ركائز الرقاقات ،
مربع 40x3mmt شكل مخصص 6H-N كذا رقائق الكربون السيليكون للبصرية
حول كريستال كربيد السيليكون (SiC)
كربيد السيليكون (SiC) ، المعروف أيضًا باسم الكربوراندوم ، هو عبارة عن أشباه موصلات تحتوي على السيليكون والكربون مع الصيغة الكيميائية SiC.يستخدم SiC في الأجهزة الإلكترونية لأشباه الموصلات التي تعمل في درجات حرارة عالية أو الفولتية العالية أو كليهما ، كما أن SiC هو أحد مكونات LED المهمة ، وهو عبارة عن ركيزة شائعة لتنمية أجهزة GaN ، كما أنه يعمل كموزع حراري في درجات حرارة عالية المصابيح الكهربائية.
| ملكية | 4H-SiC ، بلورة واحدة | 6H-SiC ، بلورة واحدة |
| معلمات شعرية | أ = 3.076 Å ج = 10.053 Å | أ = 3.073 Å ج = 15.117 Å |
| تسلسل التراص | ABCB | ABCACB |
| صلابة موس | ≈9.2 | ≈9.2 |
| كثافة | 3.21 جم / سم 3 | 3.21 جم / سم 3 |
| ثيرم.معامل التمدد | 4-5 × 10-6 / ك | 4-5 × 10-6 / ك |
| مؤشر الانكسار @ 750 نانومتر |
لا = 2.61 ني = 2.66 |
لا = 2.60 ني = 2.65 |
| ثابت العزل الكهربائي | ج ~ 9.66 | ج ~ 9.66 |
| الموصلية الحرارية (نوع N ، 0.02 أوم.سم) |
~ 4.2 واط / سم · ك @ 298 ك ج ~ 3.7 واط / سم · كلفن 298 ك |
|
| الموصلية الحرارية (شبه عازلة) |
~ 4.9 واط / سم · كلفن 298 كيلو ~ 3.9 واط / سم · ك @ 298 ك |
~ 4.6 واط / سم · ك @ 298 ك ج ~ 3.2 واط / سم · ك @ 298 ك |
| فجوة الفرقة | 3.23 فولت | 3.02 فولت |
| مجال الانهيار الكهربائي | 3-5 × 106 فولت / سم | 3-5 × 106 فولت / سم |
| سرعة الانجراف التشبع | 2.0 × 105 م / ث | 2.0 × 105 م / ث |
تطبيق SiC في صناعة أجهزة الطاقة
بالمقارنة مع أجهزة السيليكون ، يمكن لأجهزة الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC) تحقيق كفاءة عالية وتصغير ووزن خفيف لأنظمة الطاقة الإلكترونية.إن فقدان الطاقة لأجهزة طاقة SiC هو 50٪ فقط من أجهزة Si ، وتوليد الحرارة هو 50٪ فقط من أجهزة السيليكون ، كما أن SiC لها كثافة تيار أعلى.عند نفس مستوى الطاقة ، يكون حجم وحدات طاقة SiC أصغر بكثير من وحدات طاقة السيليكون.بأخذ وحدة الطاقة الذكية IPM كمثال ، باستخدام أجهزة طاقة SiC ، يمكن تقليل حجم الوحدة إلى 1/3 إلى 2/3 من وحدات طاقة السيليكون.
هناك ثلاثة أنواع من ثنائيات طاقة SiC: ثنائيات Schottky (SBD) ، وثنائيات PIN ، وثنائيات Schottky التي يتم التحكم فيها بحاجز التوصيل (JBS).بسبب حاجز شوتكي ، فإن SBD لها ارتفاع حاجز تقاطع منخفض ، لذلك فإن SBD لديها ميزة الجهد الأمامي المنخفض.أدى ظهور SiC SBD إلى توسيع نطاق تطبيق SBD من 250 فولت إلى 1200 فولت.بالإضافة إلى ذلك ، فإن خصائصه عند درجة الحرارة المرتفعة جيدة ، ولا يزيد تيار التسرب العكسي من درجة حرارة الغرفة إلى 175 درجة مئوية. وسرعة تحويل أسرع وحجم أصغر وأخف وزنًا من مقومات السيليكون.
تتمتع أجهزة MOSFET بطاقة SiC بمقاومة بوابة مثالية ، وأداء تحويل عالي السرعة ، ومقاومة منخفضة ، وثبات عالي.إنه الجهاز المفضل في مجال أجهزة الطاقة أقل من 300 فولت.هناك تقارير تفيد بأنه تم تطوير MOSFET من كربيد السيليكون بجهد حجب 10 كيلو فولت بنجاح.يعتقد الباحثون أن SiC MOSFETs ستحتل موقعًا متميزًا في مجال 3kV - 5kV.
الترانزستورات ثنائية القطب المعزولة بالبوابة SiC (SiC BJT ، SiC IGBT) و SiC Thyristor (SiC Thyristor) ، أجهزة SiC P-type IGBT بجهد مانع يبلغ 12 كيلو فولت لديها قدرة تيار أمامية جيدة.بالمقارنة مع الترانزستورات ثنائية القطب Si ، فإن الترانزستورات ثنائية القطب SiC لها خسائر تحويل أقل بمقدار 20-50 مرة وانخفاض جهد التشغيل المنخفض.ينقسم SiC BJT بشكل أساسي إلى باعث فوق المحور BJT وباعث غرس أيون BJT ، يكون الكسب الحالي النموذجي بين 10-50.
| الخصائص | وحدة | السيليكون | SiC | الجاليوم |
| عرض فجوة الحزمة | فولت | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
| مجال الانهيار | MV / سم | 0.23 | 2.2 | 3.3 |
| التنقل الإلكتروني | سم ^ 2 / مقابل | 1400 | 950 | 1500 |
| قيمة الانجراف | 10 ^ 7 سم / ثانية | 1 | 2.7 | 2.5 |
| توصيل حراري | ث / سم ك | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
تطبيق SiC في صناعة LED
في الوقت الحاضر ، تعد بلورات الياقوت هي الخيار الأول لمادة الركيزة المستخدمة في صناعة الأجهزة الإلكترونية الضوئية ، ولكن الياقوت لديه بعض أوجه القصور التي لا يمكن التغلب عليها ، مثل عدم تطابق الشبكة ، وعدم تطابق الإجهاد الحراري ، والمقاومة العالية كعامل عازل ، والتوصيل الحراري السيئ .لذلك ، جذبت الخصائص الممتازة لركائز SiC الكثير من الاهتمام وهي أكثر ملاءمة كمواد ركيزة للثنائيات الباعثة للضوء (LEDs) وثنائيات الليزر (LDs).تُظهر البيانات من Cree أن استخدام كربيد السيليكون يمكن لجهاز LED الركيزة تحقيق معدل صيانة للضوء بنسبة 70٪ يصل إلى 50000 ساعة.مزايا SiC كركيزة LED:
* تم مطابقة الثابت الشبكي لطبقة SiC و GaN فوق المحور ، وتكون الخصائص الكيميائية متوافقة ؛
* تتمتع SiC بموصلية حرارية ممتازة (أكثر من 10 مرات أعلى من الياقوت) وقريبة من معامل التمدد الحراري لطبقة GaN فوق المحور ؛
* SiC هو أشباه موصلات موصلة ، يمكن استخدامها لصنع أجهزة ذات هيكل عمودي.يتم توزيع قطبين كهربائيين على سطح الجهاز وأسفله ، ويمكنه حل أوجه القصور المختلفة الناتجة عن الهيكل الأفقي للركيزة الياقوتية ؛
* لا يتطلب SiC طبقة انتشار حالية ، ولن يتم امتصاص الضوء بواسطة مادة طبقة الانتشار الحالية ، مما يحسن كفاءة استخراج الضوء.
مواصفات الركيزة كربيد السيليكون (SiC)
كربيد السيليكون كربيد السيليكون كربيد كربيد الركيزة الكريستال
مواصفات 3 انش
| صف دراسي | إنتاج | درجة البحث | الصف الوهمي | |
| قطر الدائرة | 50.8 مم ± 0.38 مم أو حجم آخر | |||
| سماكة | 330 ميكرومتر ± 25 ميكرومتر | |||
| توجيه بسكويت الويفر | على المحور: <0001> ± 0.5 ° لـ 6H-N / 4H-N / 4H-SI / 6H-SI إيقاف المحور: 4.0 ° نحو 1120 ± 0.5 ° لـ 4H-N / 4H-SI | |||
| كثافة الأنابيب الدقيقة | ≤5 سم -2 | ≤15 سم -2 | ≤50 سم -2 | |
| المقاومة النوعية | 4H-N | 0.015 ~ 0.028 Ω · سم | ||
| 6H-N | 0.02 ~ 0.1 Ω · سم | |||
| 4 / 6H-SI | > 1E5 Ω · سم | (90٪)> 1E5 Ω · سم | ||
| شقة أساسية | {10-10} ± 5.0 درجة | |||
| الطول الأساسي المسطح | 22.2 ملم ± 3.2 ملم | |||
| طول مسطح ثانوي | 11.2 مم ± 1.5 مم | |||
| الاتجاه الثانوي المسطح | وجه السيليكون لأعلى: 90 درجة مئوية.من شقة Prime ± 5.0 ° | |||
| استبعاد الحافة | 2 مم | |||
| TTV / القوس / الاعوجاج | ≤15μm / ≤25μm / 25μm | |||
| خشونة | البولندية Ra≤1 نانومتر | |||
| CMP Ra≤0.5 نانومتر | ||||
| تشققات بواسطة الضوء عالي الكثافة | لا أحد | 1 مسموح به ،≤ 1 مم | 1 مسموح ، ≤2 مم | |
| ألواح سداسية بإضاءة عالية الكثافة | مساحة تراكمية≤1٪ | مساحة تراكمية≤1٪ | مساحة تراكمية≤3٪ | |
| مناطق متعددة الأنواع بواسطة إضاءة عالية الكثافة | لا أحد | مساحة تراكمية≤2٪ | مساحة تراكمية≤5٪ | |
| الخدوش بالضوء عالي الكثافة | 3 خدوش حتى 1 × طول تراكمي للرقاقة | 5 خدوش حتى 1 × طول تراكمي للرقاقة | 8 خدوش حتى 1 × طول تراكمي للرقاقة | |
| رقاقة الحافة | لا أحد | 3 سمح ، 0.5 ملم لكل منهما | 5 سمح ، 1 ملم لكل منهما | |
| التلوث بالضوء عالي الكثافة | لا أحد | |||
حول شركة ZMKJ
يمكن أن توفر ZMKJ رقاقة SiC أحادية الكريستال عالية الجودة (كربيد السيليكون) للصناعة الإلكترونية والإلكترونية الضوئية.رقاقة SiC هي مادة شبه موصلة من الجيل التالي ، تتمتع بخصائص كهربائية فريدة وخصائص حرارية ممتازة ، مقارنةً برقاقة السيليكون ورقاقة GaAs ، رقاقة SiC أكثر ملاءمة لدرجات الحرارة العالية واستخدام الأجهزة عالية الطاقة.يمكن توفير رقاقة SiC بقطر 2-6 بوصة ، يتوفر كل من 4H و 6 H SiC ، نوع N ، مخدر بالنيتروجين ، ونوع شبه عازل.الرجاء الاتصال بنا للحصول على مزيد من المعلومات عن المنتج.
التعليمات:
س: ما هي طريقة الشحن والتكلفة؟
ج: (1) نحن نقبل DHL ، Fedex ، EMS إلخ.
(2) لا بأس إذا كان لديك حساب صريح خاص بك ، وإذا لم يكن الأمر كذلك ، فيمكننا مساعدتك في شحنها و
الشحن هو أنان وفقا للتسوية الفعلية.
س: كيف تدفع؟
ج: T / T 100 ％ إيداع قبل التسليم.
س: ما هو موك الخاص بك؟
ج: (1) للمخزون ، وموك هو 1 قطعة.إذا كان 2-5 قطعة فمن الأفضل.
(2) بالنسبة للمنتجات المخصصة ، فإن موك يصل إلى 10 قطع.
س: ما هو وقت التسليم؟
ج: (1) للمنتجات القياسية
بالنسبة للمخزون: التسليم هو 5 أيام عمل بعد تقديم الطلب.
بالنسبة للمنتجات المخصصة: التسليم هو 2-4 أسابيع بعد طلب الاتصال.
س: هل لديك منتجات قياسية؟
ج: منتجاتنا القياسية في المخزون.مثل الركائز 4 بوصة 0.35 مم.