 |
6N Purity DSP Surface Undoped HPSI Dummy Prime Grade SIC رقاقة
تفاصيل المنتج:
| مكان المنشأ: | الصين |
| اسم العلامة التجارية: | ZMKJ |
| رقم الموديل: | 4 بوصة رقائق عالية النقاء كذا |
شروط الدفع والشحن:
| الحد الأدنى لكمية: | 2 قطع |
|---|---|
| الأسعار: | by case |
| تفاصيل التغليف: | حزمة رقاقة واحدة في غرفة تنظيف 100 درجة |
| وقت التسليم: | 1-4 اسابيع |
| شروط الدفع: | تي / تي ، ويسترن يونيون ، موني جرام |
| القدرة على العرض: | 1-50pcs / شهر |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| المواد: | SiC بلورة أحادية 4h-N | الدرجة: | درجة الإنتاج |
|---|---|---|---|
| thicnkss: | 2 مم أو 0.5 مم | Suraface: | DSP |
| التطبيق: | متراكب | قطرها: | 4 بوصة |
| اللون: | colorless | MPD: | <1سم-2 |
| إبراز: | رقاقة السيليكون الكربونية,رقاقة السيليكون الصفية الوهمية,رقاقة السيليكون أحادية البلورية DSP |
||
منتوج وصف
حجم مخصص2 بوصة / 3 بوصة / 4 بوصة / 6 بوصة 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC البلاطات / نقاء عالية 4H-N 4 بوصة 6 بوصة قطرها 150mm الكربيد السيليكوني واحد
غير معقّد 4" 6" 6 بوصة 4 ساعة نصف سيك وافر 4 بوصة إنتاج دمية الصف
حول كريستال كاربيد السيليكون
كربيد السيليكون (SiC) ، المعروف أيضًا باسم الكربوروندوم ، هو أشباه الموصلات التي تحتوي على السيليكون والكربون مع الصيغة الكيميائية SiC.يستخدم SiC في أجهزة الإلكترونيات شبه الموصلة التي تعمل عند درجات حرارة عالية أو فولتاج عال، أو كليهما. SiC هو أيضًا أحد مكونات LED المهمة ، وهو رصيف شائع لزراعة أجهزة GaN ، كما أنه يعمل أيضًا كمنتشر حرارة في مصابيح LED عالية الطاقة.
| الممتلكات | 4H-SiC، بلور واحد | 6H-SiC، بلور واحد |
| معايير الشبكة | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| تسلسل التراص | ABCB | ABCACB |
| صلابة موهز | ≈9.2 | ≈9.2 |
| الكثافة | 3.21 غرام/سم3 | 3.21 غرام/سم3 |
| معامل التوسع الحراري | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| مؤشر الانكسار @750nm |
لا = 2.61 |
لا = 2.60 |
| الثابت الكهربائي | c~9.66 | c~9.66 |
| التوصيل الحراري (النوع N، 0.02 ohm.cm) |
a~ 4.2 W/cm·K@298K |
|
| التوصيل الحراري (أجزاء عازلة) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
| فجوة الشريط | 3.23 eV | 3.02 eV |
| حقل كهربائي متقطع | 3-5×106 فولت/سم | 3-5×106 فولت/سم |
| سرعة التشنج | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
4H-N قطر 4 بوصة كربيد السيليكون (SiC) مواصفات الركيزة
| قطر 2 بوصة من كاربيد السيليكون (SiC) مواصفات الركيزة | ||||||||||
| الدرجة | درجة MPD صفر | درجة الإنتاج | درجة البحث | الدرجة المزيفة | ||||||
| قطرها | 100. mm±0.38mm 150±0.5mm | |||||||||
| سمك | 500±25mm أو غيرها من سمك مخصص | |||||||||
| توجيه الوافر | خارج المحور: 4.0° نحو <1120> ±0.5° لـ 4H-N/4H-SI على المحور: <0001>±0.5° لـ 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| كثافة الأنابيب الدقيقة | ≤0.4cm-2 | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤10 سم-2 | ||||||
| المقاومة | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | |||||||||
| الشقة الرئيسية | {10-10} ± 5.0 درجة | |||||||||
| الطول المسطح الأساسي | 18.5 ملم±2.0 ملم | |||||||||
| الطول المسطح الثانوي | 10.0mm±2.0 mm | |||||||||
| التوجه المسطح الثانوي | السيليكون رأساً على عقب: 90 درجة CW. من Prime flat ±5.0° | |||||||||
| استبعاد الحافة | 1 ملم | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm /≤10μm /≤15μm | |||||||||
| الخامة | الرأس البولندي ≤ 1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 nm | ||||||||||
| الشقوق بسبب الضوء عالي الكثافة | لا شيء | 1 مسموح به، ≤2 ملم | الطول التراكمي ≤ 10 ملم ، الطول الفردي ≤ 2 ملم | |||||||
| لوحات هكس بواسطة ضوء كثافة عالية | المساحة التراكمية ≤ 1% | المساحة التراكمية ≤ 1% | المساحة التراكمية ≤ 3% | |||||||
| المناطق متعددة الأنماط حسب كثافة الضوء العالية | لا شيء | المساحة التراكمية ≤2% | المساحة التراكمية ≤ 5% | |||||||
| الخدوش الناجمة عن الضوء عالي الكثافة | 3 خدوش إلى 1 × قطر الوافر الطول التراكمي | 5 خدوش إلى 1 × قطر الوافر الطول التراكمي | 5 خدوش إلى 1 × قطر الوافر الطول التراكمي | |||||||
| رقاقة الحافة | لا شيء | 3 مسموح بها، ≤0.5 ملم لكل منها | 5 مسموح بها، ≤ 1 ملم لكل منها | |||||||
عرض عرض الإنتاج
|
نوع 4H-N / رقائق SiC عالية النقاء / البلاطات
رقائق SiC من النوع N 4H بطول 2 بوصة
رقاقة SiC من النوع 3 بوصة 4H رقائق SiC 4 بوصة 4H من النوع N رقائق SiC 6 بوصة 4H من النوع N / البلاط |
4H شبه عازل / نقاء عاليرقائق سي سي 2 بوصة 4H رقاقة SiC شبه معزولة
3 بوصة 4H رقاقة SiC شبه معزولة 4 بوصات 4H سلة SiC شبه معزولة 6 بوصات 4H سيفير SiC شبه معزول |
|
رقاقة SiC من النوع 6H N
رقاقة SiC من النوع N 6H 2 بوصة / بلاست |
حجم مخصص لـ 2-6 بوصة
|
تطبيقات SiC
مجالات التطبيق
- 1 أجهزة إلكترونية عالية التردد والقوة عالية ديودات شوتكي، JFET، BJT، PiN،
- الديودات، IGBT، MOSFET
- 2 أجهزة إلكترونية بصرية: تستخدم بشكل رئيسي في مواد رصيف LED الزرقاء GaN/SiC (GaN/SiC)
1.الأجهزة الإلكترونية ذات الطاقة العالية
نظراً لتوصيلها الحراري المتفوق ، وجهد التفكيك العالي ، والفجوة النطاقية الواسعة ، فإن رقائق HPSI SiC غير المخدرة ذات النقاء 6N مثالية للأجهزة الإلكترونية ذات الطاقة العالية.يمكن استخدام هذه الوافرات في إلكترونيات الطاقة مثل المصابيح، MOSFETs ، و IGBTs للتطبيقات مثل المركبات الكهربائية ، وأنظمة الطاقة المتجددة ، وإدارة شبكة الكهرباء ، مما يتيح تحويل الطاقة بكفاءة وتقليل خسائر الطاقة.
2.أجهزة الترددات الراديوية (RF) وأجهزة الميكروويف
رقائق HPSI SiC ضرورية لأجهزة RF والميكروويف ، خاصة للاستخدام في أنظمة الاتصالات السلكية واللاسلكية والرادار والاتصالات الفضائية.طبيعتهم شبه العازلة تساعد في تقليل القدرات الطفيلية وتحسين أداء الترددات العالية، مما يجعلها مناسبة لمضاعفات RF والمفاتيح والمذبذبات في تكنولوجيات الاتصالات اللاسلكية والدفاع.
3.أجهزة البصريات الإلكترونية
يتم استخدام رقائق SiC بشكل متزايد في التطبيقات الإلكترونية الضوئية ، بما في ذلك أجهزة الكشف عن الأشعة فوق البنفسجية ، ومصابيح LED ، والليزر.توفر رقائق 6N الخالصة غير المزودة خصائص مادة متفوقة تعزز أداء هذه الأجهزة، وخاصة في البيئات القاسية حيث ستفشل الأجهزة التقليدية القائمة على السيليكون. تشمل التطبيقات التشخيص الطبي والمعدات العسكرية والاستشعار الصناعي.
4.أشباه الموصلات واسعة النطاق لبيئات قاسية
لوحات سي سي معروفة بقدرتها على العمل في درجات حرارة متطرفة وبيئات عالية الإشعاع. هذه الخصائص تجعل لوحات سي سي 6N نقية مثالية للطيران والفضاء والسياراتوالصناعات الدفاعية، حيث تحتاج الأجهزة إلى العمل في ظل ظروف قاسية، مثل في المركبات الفضائية، المحركات عالية درجة الحرارة، أو المفاعلات النووية.
5.البحث والتطوير
كوافحة وهمية من الدرجة الأولى ، يتم استخدام هذا النوع من الوافحة SiC في بيئات البحث والتطوير لأغراض الاختبار والمعايرة.نقائها العالي والسطح الملمع يجعلها مثالية للتحقق من صحة العمليات في تصنيع أشباه الموصلات، اختبار مواد جديدة، وتطوير أجهزة أشباه الموصلات الجديدة دون الحاجة إلى المنشطات النشطة.فيزياء الأجهزةو هندسة أشباه الموصلات
6.أجهزة التبديل عالية التردد
يتم استخدام رقائق SiC عادة في أجهزة التبديل عالية التردد للتطبيقات في أنظمة إدارة الطاقة.خصائص الفجوة العريضة وشبه العزل تجعلها فعالة للغاية للتعامل مع سرعات التبديل السريعة مع انخفاض خسائر الطاقة، والتي تعتبر حاسمة في أنظمة مثل المحولات والمحولات ومصادر الطاقة غير المتقطعة (UPS).
7.تعبئة مستوى الوافرات و MEMS
يسمح سطح DSP من رقاقة SiC بالاندماج الدقيق في التعبئة على مستوى الرقاقة والأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS).تتطلب هذه التطبيقات أسطح ناعمة للغاية لتحديد الأنماط عالية الدقة والحفرأجهزة MEMS تستخدم عادة في أجهزة الاستشعار والجهاز التشغيلي وغيرها من الأنظمة المصغرة للسيارات والطبيةوتطبيقات الإلكترونيات الاستهلاكية.
8.الحوسبة الكمومية والإلكترونيات المتقدمة
في التطبيقات المتطورة مثل الحوسبة الكمومية وأجهزة أشباه الموصلات من الجيل التالي، تعمل رقاقة HPSI SiC غير المزودة بالعقاقير كمنصة مستقرة ونقية للغاية لبناء أجهزة الكم.النقاء العالي والخصائص شبه العازلة تجعله مادة مثالية لاستضافة الكوبيتات والمكونات الكمية الأخرى.
في الختام، سطح DSP نقاء 6N، HPSI غير المزدوج الصف الدرجة الأولى لوحة SiC هو مادة أساسية لمجموعة واسعة من التطبيقات، بما في ذلك الإلكترونيات عالية الطاقة،الأجهزة الإلكترونيةوالحوسبة الكمومية والبحوث المتقدمة نظافة عالية، خصائص شبه عازلةوالسطح الملمع يسمح بأداء متفوق في البيئات الصعبة ويسهم في التقدم في كل من البحوث الصناعية والأكاديمية.
> التعبئة والتغليف الخدمات اللوجستية
نحن نهتم بكل تفاصيل الحزمة، التنظيف، مكافحة الستاتيكية، علاج الصدمات.
وفقاً للكمية والشكل من المنتج، سنأخذ عملية تغليف مختلفة! تقريباً بواسطة كيسات الوافرة الواحدة أو كيسة 25 قطعة في غرفة تنظيف 100 درجة.
حسب الكمية