|
معلومات تفصيلية |
|||
| الحجم: | 3 بوصة 76.2 ملم | هيكل بلوري: | سداسي الشكل |
|---|---|---|---|
| فجوة الطاقة: على سبيل المثال (eV): | 3.26 | التنقل الإلكتروني: μ، (سم ^ 2 /Vs): | 900 |
| حركة الفتحة: أعلى (سم^2): | 100 | مجال الانهيار: E(V/cm)X10^6: | 3 |
| الموصلية الحرارية (ث / سم): | 4.9 | ثابت العزل الكهربائي النسبي: es: | 9.7 |
| تسليط الضوء: | أشباه الموصلات سيفيرات سي سي,رقائق SiC شبه عازلة,رقاقة الكربيد السيليكونية 3 بوصات,Semi Insulating SiC Wafers,3inch Silicon Carbide Wafer |
||
منتوج وصف
خلاصة
الـ 4 هـنصف عازل SiCالركيزة هي مادة أشباه الموصلات عالية الأداء مع مجموعة واسعة من التطبيقات. انها مشتقة اسمها من نموها على هيكل بلورية 4H.هذا الركيزة تظهر خصائص كهربائية استثنائية، بما في ذلك المقاومة العالية وتركيز الناقل المنخفض ، مما يجعلها خيارًا مثاليًا لأجهزة الترددات الراديوية (RF) والميكروويف والأجهزة الإلكترونية القوية.
الميزات الرئيسية لـ 4-Hالـ SiC شبه العازلتحتوي على خصائص كهربائية متساوية للغاية، وانخفاض تركيز الشوائب، والاستقرار الحراري المتميز.هذه الصفات تجعلها مناسبة لتصنيع أجهزة الطاقة RF عالية التردد، أجهزة استشعار إلكترونية عالية الحرارة، ومعدات إلكترونية ميكروويف.قوة المجال التفكيكية العالية وقابلية التوصيل الحراري الممتازة أيضا وضعها كجزء من الركائز المفضلة لأجهزة عالية الطاقة.
وبالإضافة إلى ذلك،نصف عازل SiCيظهر الركيزة استقرارًا كيميائيًا ممتازًا ، مما يسمح لها بالعمل في بيئات تآكل وتوسيع مجموعة تطبيقاتها.يلعب دورا حاسما في الصناعات مثل تصنيع أشباه الموصلات، الاتصالات، الدفاع، وتجارب الفيزياء عالية الطاقة.
باختصار، 4-Hالـ SiC شبه العازلالركيزة، مع خصائصها الكهربائية والحرارية المتميزة،يحمل وعدا كبيرا في مجال أشباه الموصلات ويوفر أساسا موثوقا لإنتاج الأجهزة الإلكترونية عالية الأداء.
الخصائص
خصائص كهربائية:
- مقاومة عالية:4 ساعة نصف عازل SiCلديها مقاومة عالية جدا، مما يجعلها مادة ممتازة لتطبيقات العزل شبه حيث يتم الرغبة في التوصيل الكهربائي المنخفض.
- التوتر العالي بسبب فجوة النطاق العريضة4H نصف عازل SiCلديه فولتاج انقطاع مرتفع ، مما يجعله مناسبًا لتطبيقات الطاقة العالية والجهد العالي.
الخصائص الحرارية:
- سلكية حرارية عالية:SiCعادةً ما يمتلك موصلات حرارية عالية، وتمتد هذه الخصائص إلى 4-H شبه عازلSiCكما يساعد في إبعاد الحرارة بكفاءة.
- الاستقرار الحراري: هذه المادة تحافظ على خصائصها وأدائها حتى في درجات الحرارة العالية ، مما يجعلها مناسبة للاستخدام في البيئات الحرارية القاسية.
خصائص ميكانيكية وفيزيائية:
- صلابة: مثل أشكال أخرى منSiC،4-H شبه عازلهذا الاختلاف صلب جداً ومقاوم للكش
- الحصانة الكيميائية: هي حصانة كيميائيا ومقاومة لمعظم الأحماض والقليات ، مما يضمن الاستقرار وطول العمر في البيئات الكيميائية القاسية.
| النوع المتعدد | بلور واحد 4H | ||
| معايير الشبكة | a=3.076 A C=10.053 A |
||
| تسلسل التراص | ABCB | ||
| فجوة الشريط | 3.26 eV | ||
| الكثافة | 3.21 10^3 كجم/م^3 | ||
| معامل التوسع الحراري | 4-5x10^-6/K | ||
| مؤشر الانكسار | لا = 2.719 ne = 2.777 |
||
| الثابت الكهربائي | 9.6 | ||
| التوصيل الحراري | 490 W/mK | ||
| حقل كهربائي متقطع | 2-4 108 فولت/م | ||
| سرعة التشنج | 2.0 105 م/ث | ||
| تحرك الإلكترونات | 800 سم^2NS | ||
| حفرة الحركة | 115 سم^2N·S | ||
| صلابة موهز | 9 |
الخصائص البصرية:
- الشفافية في الأشعة تحت الحمراء:4H نصف عازل SiCشفافة للضوء تحت الحمراء، والتي يمكن أن تكون مفيدة في بعض التطبيقات البصرية.
مزايا التطبيقات الخاصة:
- الإلكترونيات: مثالية لأجهزة التردد العالي والقوة العالية بسبب فولتها العالية والقدرة على توصيل الحرارة.
- الأجهزة الإلكترونية الضوئية: مناسبة للأجهزة الإلكترونية الضوئية التي تعمل في منطقة الأشعة تحت الحمراء.
- أجهزة الطاقة: تستخدم في تصنيع أجهزة الطاقة مثل ثنائيات شوتكي و MOSFETs و IGBTs.
4H نصف عازل SiCهي مادة متعددة الاستخدامات تستخدم في تطبيقات عالية الأداء بسبب خصائصها الكهربائية والحرارية والفيزيائية الاستثنائية.
عن شركتنا
البيع وخدمة العملاء
شراء المواد
قسم شراء المواد هو المسؤول عن جمع جميع المواد الخام اللازمة لإنتاج منتجكبما في ذلك التحليل الكيميائي والفيزيائي متاح دائما.
الجودة
أثناء وبعد تصنيع أو معالجة منتجاتك، قسم مراقبة الجودة يشارك في التأكد من أن جميع المواد والتسامحات تلبي أو تتجاوز مواصفاتك.
الخدمة
نحن نفخر بأن لدينا موظفين مهندسين مبيعات مع أكثر من 5 سنوات من الخبرة في صناعة أشباه الموصلات.إنهم مدربون على الإجابة على الأسئلة التقنية وكذلك تقديم عروض فورية لاحتياجاتك.
نحن بجانبك في أي وقت عندما يكون لديك مشكلة، وحلها في 10 ساعات.