|
معلومات تفصيلية |
|||
| نجاسة: | مجاني/منخفض الشوائب | الدرجة: | الإنتاج / البحث / الدمية |
|---|---|---|---|
| المقاومة النوعية: | مقاومة عالية/منخفضة | استثناء الحافة: | ≥50um |
| جسيم: | الجسيمات الحرة/المنخفضة | القوس / الاعوجاج: | ≥50um |
| TTV: | ≥2um | التشطيب السطحي: | جانب واحد/مزدوج مصقول |
| إبراز: | 8 بوصات سيكو وافير,رقائق 4H SiC,سيفير SiC من نوع الإنتاج,4H SiC Wafer,Production grade SiC Wafer |
||
منتوج وصف
سيكو وافر 4H نوع ن السيليكون كربيد درجة 2 بوصة 4 بوصة 6 بوصة 8 بوصة DSP مخصصة
وصف لوحة SiC:
يتوفر رقاقة كاربيد السيليكون في نوع 4H n ، وهو النوع الأكثر استخدامًا لرقائق كاربيد السيليكون. يفضل هذا النوع من الرقائق لتحركها العالي ،سلكية حرارية عالية، ومستوى عال من الاستقرار الكيميائي والميكانيكي
يتوفر رقائق كاربيد السيليكون بثلاثة درجات مختلفة: الإنتاج والبحوث والدمى.تم تصميم رقاقة الصف الإنتاج للاستخدام في التطبيقات التجارية ويتم إنتاجها مع معايير الجودة الصارمةتم تصميم رقاقة درجة البحث لاستخدامها في التطبيقات البحثية والتطوير ويتم إنتاجها إلى معايير جودة أعلى.صممت رقاقة الدرجة المزيفة للاستخدام كحافظ مكان في عملية التصنيع.
شخصية سيفير سي سي:
رقائق كربيد السيليكون (SiC) هي مادة نصف الموصلات الرئيسية التي تلعب دورًا مهمًا في الأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة عالية التردد ، من بين التطبيقات الأخرى.هنا بعض من خصائص رقائق سيك:
1خصائص فجوة النطاق العريض:
يحتوي SiC على فجوة واسعة ، عادة ما تكون بين 2.3 و 3.3 فولت إلكتروني ، مما يجعله ممتازًا لتطبيقات درجات الحرارة العالية والقوة العالية.هذه الخاصية الفجوة النطاق العريض يساعد على الحد من التسرب الحالي في المادة وتحسين أداء الجهاز.
2التوصيل الحراري:
يحتوي SiC على موصلات حرارية عالية جداً، أعلى عدة مرات من رقائق السيليكون التقليدية.هذه القيادة الحرارية العالية تسهل إزالة الحرارة بكفاءة في الأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة وتحسن استقرار الجهاز وموثوقيته.
3الخصائص الميكانيكية:
يمتلك SiC قوة ميكانيكية وقسوة ممتازة ، وهو أمر مهم للتطبيقات في درجات الحرارة العالية والبيئات القاسية. تعمل رقائق SiC بشكل جيد في درجات الحرارة العالية والضغط العالي ،وبيئات عالية الإشعاع، مما يجعلها مناسبة للتطبيقات التي تتطلب قوة عالية ومتانة.
4الاستقرار الكيميائي:
يمتلك SiC مقاومة عالية للتآكل الكيميائي ويمكنه مقاومة هجوم العديد من المواد الكيميائية ، لذلك يعمل بشكل جيد في بعض البيئات الخاصة حيث يتطلب الأداء المستقر.
5خصائص كهربائية:
يحتوي SiC على جهد انكسار مرتفع وتيار تسرب منخفض ، مما يجعله مفيدًا جدًا في الأجهزة الإلكترونية عالية الجهد عالية التردد.رقائق SiC لديها مقاومة أقل وترخيص أعلى، وهو أمر ضروري لتطبيقات الراديو اللاسلكي.
بشكل عام ، تحتوي رقائق SiC على آفاق تطبيق واسعة في الأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة وأجهزة RF والأجهزة البصرية الإلكترونية بسبب خصائصها الكهربائية والحرارية والميكانيكية الممتازة.
جدول الخصائص لـ SiC Wafer:
| البند | 4H نوع ن سيفر سيك P درجة ((2 ~ 8 بوصة) | ||||
| قطرها | 50.8±0.3ملم | 76.2±0.3ملم | 100.0±0.3 ملم | 150.0±0.5 ملم | 200.0±0.5 ملم |
| سمك | 350±25μm | 350±25μm | 350±25μm | 350±25μm | 500±25μm |
| التوجه السطحي | خارج المحور:4 درجة نحو <11-20>±0.5 درجة | ||||
| التوجه السطح الأول | متوازية مع <11-20>±1° | <1-100>±1 درجة | |||
| الطول المسطح الأساسي | 16.0±1.5ملم | 22.0±1.5ملم | 32.5±2.0 ملم | 47.5±2.0 ملم | الشفرة |
| التوجه المسطح الثانوي | السيليكون رأساً على عقب: 90 درجة CW من المسطح الأساسي±5.0 درجة | لا | لا | ||
| الطول المسطح الثانوي | 8.0±1.5ملم | 11.0±1.5ملم | 18.0±2.0ملم | لا | لا |
| المقاومة | 0.014 ٠.٠٢٨Ω•سم | ||||
| التشطيب الأمامي | الصفحة: CMP، Ra<0.5nm | ||||
| التشطيب السطحي الخلفي | وجه C: البولندي البصري، Ra<1.0nm | ||||
| علامة الليزر | الجانب الخلفي: C-face | ||||
| TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤15μm | ≤20μm |
| القوس | ≤25μm | ≤25μm | ≤30μm | ≤40μm | ≤ 60μm |
| الـ WARP | ≤30μm | ≤35μm | ≤40μm | ≤ 60μm | ≤ 80μm |
| استبعاد الحافة | ≤3 ملم | ||||
الصورة المادية لـ (سي سي وفر):
تطبيقات سيفير سي سي:
1أجهزة الكهرباء الكهربائية
لدى رقائق سي سي مجموعة واسعة من التطبيقات في مجال الأجهزة الإلكترونية الكهربائية مثل MOSFETs (ترانزستورات تأثير حقل أشباه الموصلات من أكسيد المعدن) و SCHTKEY (ديودات حاجز شوتكي).قوة المجال الانهيارية العالية وسرعة الانجراف الكهربائية الاكتفاء عالية من المواد سي سي تجعلها خيار مثالي للكثافة العالية للطاقة ومحولات الطاقة عالية الكفاءة.
2أجهزة الترددات الراديوية:
توجد رقائق SiC أيضًا تطبيقات مهمة في أجهزة RF ، مثل مكبرات طاقة RF وأجهزة الميكروويف.تحرك الكترونات العالي وخسارة مواد SiC المنخفضة تجعلها ممتازة في التطبيقات عالية التردد والقوة العالية.
3أجهزة ألكترونية:
كما تجد رقائق سي سي تطبيقات متزايدة في الأجهزة البصرية الإلكترونية، مثل ثنائيات الضوء الضوئي، ومستشعرات الضوء فوق البنفسجي، وثنائيات الليزر.خصائص البصرية الممتازة واستقرار مواد SiC تجعلها مادة مهمة في مجال الأجهزة الإلكترونية.
4جهاز استشعار درجة الحرارة العالية:
يتم استخدام رقائق SiC على نطاق واسع في مجال أجهزة استشعار درجات الحرارة العالية بسبب خصائصها الميكانيكية الممتازة واستقرارها في درجات الحرارة العالية. يمكن أن تعمل أجهزة استشعار SiC بشكل مستقر في درجات الحرارة العالية ،الإشعاع، والبيئات السامة وهي مناسبة لقطاعات الطيران والطاقة والصناعة.
5أجهزة إلكترونية مقاومة للإشعاع:
المقاومة للإشعاع من رقائق SiC تجعلها تستخدم على نطاق واسع في الطاقة النووية والطيران والفضاء ومجالات أخرى حيث مطلوب خصائص مقاومة الإشعاع.مادة SiC لديها استقرار عال للإشعاع وهي مناسبة للأجهزة الإلكترونية في بيئة عالية الإشعاع.
صورة تطبيق لوحة SiC:
تخصيص سيفير سيك:
نحن ملتزمون بتوفير حلول سيفير عالية الجودة عالية الأداء مخصصة لتلبية الاحتياجات المتنوعة لعملائنامصنعنا يمكن تخصيص رقائق سي سي من مواصفات مختلفة، الخصائص و الأشكال وفقًا لمتطلبات عملائنا الخاصة.
الأسئلة الشائعة:
1س: ما هي أكبر رقاقة زعفرانية؟
الزعفران: 300 ملم (12 بوصة) هو الآن أكبر رقاقة لديودات انبعاث الضوء (LEDs) والإلكترونيات الاستهلاكية.
2س: ما هو حجم رقائق الزعفران؟
ج: أبعاد قطر رقائقنا القياسية تتراوح من 25.4 ملم (1 بوصة) إلى 300 ملم (11.8 بوصة) في الحجم.يمكن إنتاج رقائق في مختلف السماكة والتوجهات مع جوانب مطلية أو غير مطلية ويمكن أن تتضمن مضادات.
3س: ما هو الفرق بين رقائق الزعفران والسيليكون؟
الجواب: مصابيح الـ " LED " هي أكثر التطبيقات شيوعًا للـ " زعفرة " ، فالمادة شفافة وهي موصل ضوء ممتازالسيليكون غير شفاف ولا يسمح باستقطاب الضوء بكفاءةومع ذلك، فإن مواد أشباه الموصلات مثالية للضوئيات، لأنها رخيصة وشفافة.
توصية المنتج: