|
معلومات تفصيلية |
|||
| القوس / الاعوجاج: | ≥50um | قطرها: | 2 بوصة 4 بوصة 6 بوصة 8 بوصة |
|---|---|---|---|
| توجيه: | على المحور/خارج المحور | المقاومة النوعية: | مقاومة عالية/منخفضة |
| الدرجة: | الإنتاج / البحث / الدمية | التسطيح: | لامدا/10 |
| ثابت العازل: | ج~9.66 | التوصيل الحراري: | 3-5 واط/سم·كلفن عند 298 كلفن |
| انهيار المجال الكهربائي: | 2-5×106 فولت/سم | سرعة انجراف التشبع: | 2.0×105م/ثانية/2.7×107م/ثانية |
| إبراز: | كريستال واحد 6 بوصات,4 بوصات سي سي واحد الكريستال,كريستال سي سي واحد بطول 2 بوصة,4inch SiC Single Crystal,2inch SiC Single Crystal |
||
منتوج وصف
2 بوصة 4 بوصة 6 بوصة 8 بوصة 4H P نوع 6H P نوع 3C نوع N نوع SiC وافر سيلكون كاربيد وافر نصف الموصل
وصف لوحة SiC:
4H P-Type SiC: يشير هذا إلى رقاقة كربيد السيليكون أحادية البلور مع بنية بلورية 4H تم تعاطيها مع شوائب المقبول ، مما يجعلها مادة نصف موصل من النوع P. 6H P-Type SiC:بنفس الطريقة، هذا يشير إلى رقاقة كربيد السيليكون أحادية البلور مع بنية بلورية 6H التي تم تعاطيها مع شوائب المقبول ، مما يؤدي أيضًا إلى مواد أشباه الموصلات من النوع P. 3C من النوع N SiC:هذا يمثل رقاقة كربيد السيليكون أحادية الكريستال مع هيكل 3C الكريستالي الذي يتم تعاطيه مع الشوائب المانحة، مما يؤدي إلى سلوك أشباه الموصلات من النوع N.
شخصية رقائق السيكس:
4H P-Type SiC:
الهيكل البلورى: 4H يشير إلى الهيكل البلورى الستة الأطراف لكربيد السيليكون.
النوع المنشط: النوع P يشير إلى أن المواد معتدلة بالشوائب المقبولة.
الخصائص:
حركة الكترونات العالية
مناسبة لأجهزة إلكترونية عالية الطاقة و عالية التردد.
سلكية حرارية جيدة
مثالية للتطبيقات التي تتطلب تشغيل درجة حرارة عالية.
6H P-Type SiC:
الهيكل البلورى: 6H يشير إلى الهيكل البلورى الستة الأطراف لكربيد السيليكون.
نوع المنشطات: المنشطات من النوع P مع الشوائب المقبولة.
الخصائص:
قوة ميكانيكية جيدة
سلكية حرارية عالية
تستخدم في التطبيقات ذات الطاقة العالية ودرجة الحرارة العالية
مناسبة للكترونيات في بيئة قاسية
3C نوع N SiC:
الهيكل البلورى: 3C يشير إلى الهيكل البلورى المكعب لكربيد السيليكون.
نوع المنشطات: النوع N يشير إلى المنشطات مع الشوائب المانحة.
الخصائص:
مادة متعددة الاستخدامات للإلكترونيات والبصريات.
تطابق جيد مع تكنولوجيا السيليكون.
مناسبة للدوائر المتكاملة
يوفر فرصاً للإلكترونيات ذات النطاق العريض
هذه الأنواع المختلفة من رقائق كربيد السيليكون تظهر خصائص محددة بناءً على بنياتها الكريستالية وأنواع تعزيزها.يتم تحسين كل تغيير لتطبيقات مختلفة في الإلكترونيات، أجهزة الطاقة، وأجهزة الاستشعار، ومجالات أخرى حيث خصائص فريدة من نوعها من كربيد السيليكون، مثل التوصيل الحراري العالي، والجهد العالي الانهيار، والفجوة النطاقية واسعة، هي مفيدة.
الشكلمن سيفير SiC:
| الممتلكات | 4H-SiC من النوع P | النوع P 6H-SiC | 3C-SiC من نوع N |
| معايير الشبكة | a=3.082 Å c=10.092 Å |
a=3.09 Å c=15.084 Å |
a=4.349 Å |
| تسلسل التراص | ABCB | الـ ACBABC | ABC |
| صلابة موهز | ≈9.2 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| الكثافة | 3.23 غرام/سم3 | 3.0 غرام/سم3 | 2.36 غرام/سم3 |
| التوسع الحراري المعامل |
4.3×10-6/K (((محور C) 4.7×10-6/K ((محور C) |
4.3×10-6/K (((محور C) 4.7×10-6/K ((محور C) |
3.8×10-6/K |
| مؤشر الانكسار @750nm |
لا = 2.621 ne = 2.671 |
لا = 2.612 ne=2.651 |
لا = 2.612 |
الصورة الماديةمن سيفير SiC:
التطبيقمن سيفير SiC:
هذه الأنواع من SiC لها دور أكبر في III-V ، ترسب النترات ، الأجهزة الإلكترونية الضوئية ، أجهزة الطاقة العالية ، أجهزة درجة الحرارة العالية ، منطقة أجهزة الطاقة المتعددة.
1. 4H P-type SiC:
إلكترونيات الطاقة العالية: تستخدم في الأجهزة الإلكترونية ذات الطاقة العالية مثل ثنائيات الطاقة و MOSFETs و المصححات عالية الجهد بسبب حركتها الكهربائية العالية وقابلية التوصيل الحراري.
أجهزة الترددات الراديوية وميكروويف: مناسبة لتطبيقات الترددات الراديوية (RF) والميكروويف التي تتطلب تشغيل عالية الترددات ومعالجة طاقة فعالة.
بيئات درجات الحرارة العالية: مثالية للتطبيقات في البيئات القاسية التي تتطلب تشغيل درجات الحرارة العالية وموثوقيتها ، مثل أنظمة الطيران والفضاء والسيارات.
2. 6H P-type SiC:
إلكترونيات الطاقة: تستخدم في أجهزة أشباه الموصلات مثل ثنائيات شوتكي،والثايريستورات لتطبيقات عالية الطاقة مع متطلبات عالية للقيادة الحرارية والقوة الميكانيكية.
الإلكترونيات عالية الحرارة: تطبق في الإلكترونيات عالية الحرارة لصناعات مثل الطيران والفضاء والدفاع والطاقة حيث تكون الموثوقية في ظل الظروف القاسية أمرًا حاسمًا.
3. 3C النوع N SiC:
الدوائر المتكاملة: مناسبة للدوائر المتكاملة والأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS) بسبب توافقها مع تكنولوجيا السيليكون وإمكانياتها في الإلكترونيات واسعة النطاق.
الأجهزة الإلكترونية الضوئية: تستخدم في الأجهزة الإلكترونية الضوئية مثل مصابيح الديود وأجهزة الكشف الضوئي وأجهزة الاستشعار حيث يقدم الهيكل الكريستالي المكعب مزايا لتطبيقات انبعاث الضوء والاكتشاف.
أجهزة الاستشعار الطبية الحيوية: تطبق في أجهزة الاستشعار الطبية الحيوية لتطبيقات الاستشعار المختلفة بسبب توافقها الحيوي واستقراره وحساسيته.
صور التطبيقمن سيفير SiC:
التخصيص:
يمكن تصنيع منتجات بلورية SiC مخصصة لتلبية متطلبات المستهلك المحددة ومواصفاته. يمكن تصنيع رقائق Epi حسب الطلب.
الأسئلة الشائعة:
1س: ما هو الفرق بين 4H-SiC و 6H-SiC؟
ج: جميع أنواع سي سي الأخرى هي خليط من رابطة الزنك-المزيج والورزيت. يتكون 4H-سي سي من عدد متساو من الروابط الكوبية والستة الأطراف مع تسلسل تراكم ABCB.6H-SiC يتكون من ثلثي الروابط المكعبة و ثلث الروابط السداسية مع تسلسلات التراكم من ABCACB.
2س: ما هو الفرق بين 3C و 4H SiC؟
ج: بشكل عام، 3C-SiC معروف باعتباره نوعا ثابتا في درجة حرارة منخفضة، في حين أن 4H و 6H-SiC معروفان باعتبارهما نوعا ثابتا في درجة حرارة عالية، والتي تحتاج إلى درجة حرارة عالية نسبيا ل... ... خشونة السطح و كمية العيوب في الطبقة الظهرية مرتبطة بنسبة Cl/Si.
توصية المنتج:
2.4H-N/Semi Type SiC Ingot و Substrate صناعية دمية 2 بوصة 3 بوصة 4 بوصة 6 بوصة