2 بوصة 3 بوصة 4 بوصة 6 بوصة 8 بوصة SiC SSP كربيد السيليكون شبه مهين
موقع الويب: http: //www.sapphire-substrate.com هاتف: + 86-187-0175-6522 (يتوفر whatsapp أو skype）200 مللي متر / 8 بوصة SiC دمية الصف في الأوراق المالية جودة 6 بوصة 4 بوصة 3 بوصة 2 بوصة رقاقة رقاقة SIC رقاقة الركيزة للجهاز فوقي
SiC wafer
SiC substrate
8 بوصة SiC
4H-N شبه إهانة
ركيزة كربيد السيليكون
درجة الإنتاج
200mm SiC الصف وهمية
-
أحادي البلورية كربيد السيليكون كربيد رقاقة الركيزة الدمية الصف Dia153mm 156mm 159mm
ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ -
8 بوصة 4H-N نوع SiC سمك الوافر 500 ± 25um n المضغوطة دمية الدرجة الأولى للبحوث
ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ -
6H-N نصف عازل SiC Substarte / Wafer ل MOSFETs、JFETs BJTs مقاومة عالية واسعة النطاق
ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ -
نصف عازل 3 بوصة كربيد السيليكون رقاقة 4H نوع N التوجه CVD 4.0 ° ± 0.5 °
ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ -
9.4 صلابة رقائق الكربيد السيليكونية الأجزاء ذات الكريستال الواحد
ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ
فيديوهات ذات علاقة
Sapphire materials colorful sapphire ruby blue #5 doped Fe+, Ti+, Cr+, and undoped
مقاطع فيديو أخرى
August 03, 2022
