 |
ركائز GaN الدائمة الحرة HVPE GaN Wafers جهاز المسحوق GaN-On-Sapphire GaN-On-SiC
تفاصيل المنتج:
| مكان المنشأ: | الصين |
| اسم العلامة التجارية: | zmkj |
| رقم الموديل: | GaN-FS-C-U-C50-SSP |
شروط الدفع والشحن:
| الحد الأدنى لكمية: | 1 قطع |
|---|---|
| الأسعار: | 1000~3000usd/pc |
| تفاصيل التغليف: | حالة بسكويت الويفر المفردة بواسطة عبوة مفرغة |
| وقت التسليم: | 1-5 أسابيع |
| شروط الدفع: | تي / ت |
| القدرة على العرض: | 50 قطعة في الشهر |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| المواد: | بلورة أحادية الجاليوم | الحجم: | 2 بوصة 4 بوصة |
|---|---|---|---|
| السماكة: | 0.4 ملم | النوع: | النوع N/غير مدمن النوع نصف مدمن |
| التطبيق: | جهاز أشباه الموصلات | التطبيق: | جهاز مسحوق |
| السطح: | الـ SSP | الحزمة: | مربع حاوية رقاقة واحدة |
| إبراز: | ركيزة نيتريد الغاليوم الدائمة,رقاقة HVPE GaN Epi,جهاز مسحوق رقاقة أرسينيد الغاليوم |
||
منتوج وصف
نموذج قاعدة GaN 2 بوصة، غافل GaN لـ LeD، غافل نتريد الغاليوم شبه الموصل لـ ld، نموذج GaN، غافل GaN mocvd، غافل GaN مستقل حسب الحجم المخصص، غافل GaN صغير الحجم لـ LED،موكفيد غاليوم نتريد 10x10ملم، 5x5mm ، 10x5mm غان غان، غير القطبية المستقلة غان الغان الركائز ((a-المسطح و m-المسطح
4 بوصة 2 بوصة غان رصيف مستقل HVPE غان الوافرات
خصائص رقائق GaN
- النتريد الثالث ((GaN،AlN،InN)
نتريد الغاليوم هو نوع من أشباه الموصلات المركبة واسعة الفجوة.
أساسية ذات كريستال واحد عالية الجودة، وهي مصنوعة باستخدام طريقة HVPE الأصلية وتكنولوجيا معالجة رقائق، والتي تم تطويرها في الأصل لمدة 10+ سنوات في الصين.الخصائص هي بلورية عالية، والتكافل الجيد، ونوعية السطح المتفوقة. تستخدم قوالب GaN لمجموعة واسعة من التطبيقات، للضوء الأبيض و LD ((البنفسجي والأزرق والأخضر) علاوة على ذلك،التطوير قد تقدم لتطبيقات الأجهزة الإلكترونية ذات الطاقة والوتيرة العالية.
عرض النطاق المحظور (إصدار الضوء والاستيعاب) يشمل الأشعة فوق البنفسجية والضوء المرئي والأشعة تحت الحمراء
التطبيق
يمكن استخدام GaN في العديد من المجالات مثل شاشة LED ، الكشف عن الطاقة العالية والتصوير ،
شاشة عرض ليزر، جهاز الطاقة، الخ
- شاشة عرض الليزر، جهاز الطاقة، الخ تخزين البيانات
- إضاءة كفاءة في استخدام الطاقة
- أجهزة إلكترونية عالية الكفاءة
- أجهزة الميكروويف عالية التردد الكشف عن الطاقة العالية والتخيل
- الطاقة الجديدة أو تكنولوجيا الهيدروجين
- نطاق مصدر الضوء التيرا هيرتز
المواصفات الخاصة بوافلات GaN المستقلة
| الحجم | 2" | 4" | ||
| قطرها | 50.8 ملم 士 0.3 ملم | 100.0 ملم 士 0.3 ملم | ||
| سمك | 400 أم 士 30 أم | 450 أم 士 30 أم | ||
| التوجيه | (0001) وجه Ga-c-plane (القياسي) ؛ (000-1) وجه N (اختياري) | |||
| 002 XRD منحنى التأرجح FWHM | < 100 ثانية قوسية | |||
| 102 XRD منحنى الهزاز FWHM | < 100 ثانية قوسية | |||
| نصف قطر الانحناء في الشبكة | > 10 م (قاس عند 80٪ × قطر) | |||
| الطريق الخارجي نحو الطائرة | 0.5° ± 0.15° نحو [10-10] @ مركز الوافر | |||
| الطريق الخارجي نحو الطائرة العرضية | 0.0° ± 0.15° نحو [1-210] @ مركز الوافر | |||
| الاتجاه في الطائرة | يُشير الإسقاط المتجه للطائرة c نحو OF الكبير | |||
| الطائرة المسطحة الرئيسية | (10-10) مستوى متر 2 درجة (معياري) ؛ ±0.1 درجة (اختياري) | |||
| التوجه الرئيسي الطول المسطح | 16.0 ملم ± 1 ملم | 32.0 ملم ± 1 ملم | ||
| التوجهات الصغيرة التوجهات المسطحة | وجهها = الكبرى OF في الأسفل والبسيطة OF على اليسار | |||
| التوجه الصغرى الطول المسطح | 8.0 ملم ± 1 ملم | 18.0 ملم ± 1 ملم | ||
| حافة الحبل | مقطوعة | |||
| TTV (باستثناء حافة 5 ملم) | < 15 أم | < 30 أم | ||
| الورد (باستثناء حافة 5 ملم) | < 20 أم | < 80 أم | ||
| القوس (باستثناء حافة 5 ملم) | -10 أم إلى +5 أم | -40 أم إلى +20 أم | ||
| الخامة الجانب الأمامي (Sa) | < 0.3 nm (AFM: مساحة 10 um × 10 um) | |||
| < 1.5 nm (WLI: 239 um x 318 um) | ||||
| سطح الجانب الخلفي | ملمع (معياري) ، حفر (اختياري) | |||
| الخامة في الجانب الخلفي (Sa) | ملمع: < 3 nm (WLI: 239 um x 318 um المساحة) | |||
| محفورة: 1 um ± 0.5 um (WLI: 239 um x 318 um) | ||||
| علامة الليزر | الجانب الخلفي على الصف الرئيسي | |||
| الخصائص الكهربائية | المنشطات | المقاومة | ||
| النوع N (5) ليكون) | < 0.02 أوم-سم | |||
| UID | < 0.2 أوم-سم | |||
| نصف عازل (كربون) | > 1E8 أوم-سم | |||
| نظام تصنيف الحفر | الكثافة (حفر/سم2) | 2" (حفرة) | 4" (حفرة) | |
| الإنتاج | < 0.5 | < 10 | < 40 | |
| البحوث | < 1.5 | < 30 | < 120 | |
| غبي | < 2.5 | < 50 | < 200 | |
حول مصنع OEM لدينا
رؤيتنا لمؤسسة فاكتروي
سوف نقدم قاعدة عالية الجودة و تقنية التطبيق للصناعة مع مصنعنا.
الجودة العالية من المواد الغازية هي العامل المقيد لتطبيق النترات الثالثة ، على سبيل المثال العمر الطويل
وأجهزة تحكم عالية الاستقرار، وأجهزة الميكروويف ذات الطاقة العالية والموثوقية العالية،
و عالية الكفاءة، مدعومة بالطاقة.
- الأسئلة الشائعة
س: ما الذي يمكنك تقديمه للخدمات اللوجستية والتكلفة؟
(1) نقبل DHL، Fedex، TNT، UPS، EMS، SF وما إلى ذلك.
(2) إذا كان لديك رقمك الخاص، فهذا رائع.
إذا لم يكن، يمكننا مساعدتك في التسليم. الشحن = USD25.0 ((الوزن الأول) + USD12.0 / kg
س: ما هو وقت التسليم؟
(1) للمنتجات القياسية مثل رقائق 2 بوصة 0.33 ملم.
بالنسبة للمخزون: التسليم هو 5 أيام عمل بعد الطلب.
بالنسبة للمنتجات المخصصة: التسليم هو 2 أو 4 أسابيع عمل بعد الطلب.
س: كيف تدفع؟
100%T/T، باي بال، ويست يونيون، موني غرام، الدفع الآمن وضمان التجارة.
س: ما هي الـ MOQ؟
(1) بالنسبة للمخزون، فإن MOQ هو 5pcs.
(2) بالنسبة للمنتجات المخصصة، وMOQ هو 5pcs-10pcs.
هذا يعتمد على الكمية والتقنية
س: هل لديك تقرير تفتيش للمادة؟
يمكننا توفير تقرير ROHS والوصول إلى تقارير لمنتجاتنا.