|
معلومات تفصيلية |
|||
| تخصيص: | مقبولة | طريقة النمو: | كنتاكي |
|---|---|---|---|
| درجة الوضوح: | فلوريدا | المقاومة الداخلية: | 1E16 Ω-cm |
| سماكة الطبقة: | 1-5um | تحمل القطر: | ≤3٪ |
| الطول: | 30 م | خشونة سطح: | را < 0.5 نيوتن متر |
| إبراز: | رقائق زعفرانية 200 ملم,KY EFG رقائق الزعفران,8 بوصة رقاقة زعفرانية,KY EFG Sapphire wafer,8 inch Sapphire wafer |
||
منتوج وصف
رقاقة زعفرة 8 بوصة قطرها 200 مم C طائرة A طائرة KY EFG مزدوج المزلق
وصف المنتج:
في عام 1992 ، أحدث المهندس الياباني شوجي ناكامورا ثورة في هذا المجال من خلال الاستفادة بنجاح من قوالب الزعفران لإعداد طبقات مفرغة من GaN ، وبالتالي تحقيق إنتاج مصابيح LED الزرقاء.أدى هذا الاختراق إلى توسع سريع في تطوير مصابيح LED الزرقاء والخضراءالزعفري، المعروف بقسوة عالية للغاية وخصائصه الفيزيائية والكيميائية المستقرة في درجات الحرارة العالية، إلى جانب أدائه البصري الممتاز،أصبحت تدريجيا الخيار الرئيسي لإنتاج LED الأزرق والأخضر.
تظهر رقائق الزفير أنيسوتروبية ، حيث أن الطائرة C <0001 هي الطائرة البلورية الأكثر استخدامًا للزفير. تشمل الطائرات البلورية الرئيسية الأخرى الطائرة A <11-20> ، الطائرة M <1-100> ،ومستوى R <1-102>.
يمكن زراعة أشرطة رقيقة بلورية واحدة من ديزولفيد الموليبدينوم (MoS2) على الركائز الزعفرية غير المتماسكة.الرواسب الزعفرانية غير المتماسكة تشير إلى الرواسب التي يتم فيها ميل اتجاه الكريستال النهائي من المحور C <0001> نحو المحور A <11-20> أو المحور M <1-100> بزاوية معينة، عادةً في نطاق 0.5 درجة إلى 6 درجات.
يمكن أيضًا استخدام رقائق الزفير كنوافذ بصرية ومحمولات ولوحات. بسبب صلابة الزفير العالية وخصائصها الفيزيائية والكيميائية المستقرة ، يمكن استخدامها في الأجهزة الكهربائية.يستخدم أيضا في إنتاج المنتجات الوظيفية المختلفة مثل الصهاريج، المحامل، المسامير، والمكونات الأخرى.
| البند | 8 بوصات C-طائرة ((0001) 1300μm رقائق الزفير | |
| المواد البلورية | 99999 ٪، نقاء عالية، Al2O3 أحادي البلور | |
| الدرجة | (برايم) ، (إيبي) جاهز | |
| التوجه السطحي | الطائرة C ((0001) | |
| زاوية خارجية من الطائرة C باتجاه المحور M 0.2 +/- 0.1° | ||
| قطرها | 200.0 ملم +/- 0.2 ملم | |
| سمك | 1300 μm +/- 25 μm | |
| جانب واحد مطلي | سطح الأمام | الملمع بالبيترول، Ra < 0.2 nm (من خلال AFM) |
| (SSP) | سطح الخلف | الأرضية الدقيقة، Ra = 0.8 μm إلى 1.2 μm |
| جانب مزدوج مطلي | سطح الأمام | الملمع بالبيترول، Ra < 0.2 nm (من خلال AFM) |
| (DSP) | سطح الخلف | الملمع بالبيترول، Ra < 0.2 nm (من خلال AFM) |
| TTV | < 30 ميكرومتر | |
| القوس | < 30 ميكرومتر | |
| الـ WARP | < 30 ميكرومتر | |
| التنظيف / التعبئة | فئة 100 نظافة الغرف النظيفة والتغليف تحت الفراغ | |
| 25 قطعة في علبة واحدة أو علبة قطعة واحدة | ||
شخصية
1الخصائص البصرية الممتازة للوفيرة الزعفرية تجعلها مادة مثالية للمكونات البصرية.خاصة في نطاق الأشعة فوق البنفسجية إلى الأشعة تحت الحمراء القريبة (150nm إلى 5500nm)، مع مؤشر انكسار حوالي 1.76وقد أدت هذه الخصائص إلى الاستخدام الواسع للنحاس في الأدوات البصرية عالية الدقة.
2من حيث الخصائص الإلكترونية ، فإن رقاقة الزعفرة هي مادة واسعة النطاق (حوالي 9.9 eV) ، مما يجعلها تعمل بشكل جيد بشكل استثنائي في الأجهزة الإلكترونية عالية الجهد والوتيرة العالية.بسبب عزلها العالي وخسارة كهربائية منخفضة، يستخدم الزفير عادةً كمادة رصيف لأجهزة أشباه الموصلات ، وخاصة في تطبيقات مثل الترانزستورات عالية الحركة الإلكترونية (HEMTs) والأجهزة القائمة على نتريد الغاليوم (GaN).
3الصفيحة السافير لديها صلابة موهس 9، ثاني فقط للماس، مما يعطيها مزايا بارزة من حيث مقاومة الارتداء ومقاومة الخدش.قادرة على تحمل الضغط العالي والتأثير.
4كما تمتلك رقاقة الزعفرة موصلة حرارية عالية للغاية حوالي 25 W / m · K ، مما يسمح لها بالحفاظ على خصائصها الفيزيائية والكيميائية المستقرة في بيئات ذات درجات حرارة عالية.مع نقطة انصهار عالية 2054°C ومعامل توسع حراري منخفض (8.4 x 10^-6/K) ، يمكن أن يحتفظ رقاقة الزعفران باستقرار الأبعاد في تطبيقات درجات الحرارة العالية.
التطبيقات:
عبارة عن نوع من المواد المعروفة بشفافيتها العالية وقسوتها واستقرارها الكيميائي، مما يؤدي إلى خصائص ممتازة مختلفة.تستخدم على نطاق واسع في تصنيع المنتجات الإلكترونية، الأجهزة البصرية، وأدوات الدقة. فيما يلي بعض من مجالات التطبيق الرئيسية:
1الأجهزة البصرية:
تستخدم كعدسات، ونوافذ، ومستقطبات، الخ، في المعدات البصرية.
في آلات القطع بالليزر واللحام والتمييز الراقية ، يمكن أن تحمي العدسات الزعفرانية وتثبيت مخرجات الليزر ، مما يعزز دقة المعدات واستقرارها.
2أدوات الدقة:
تستخدم كعناصر تحديد المواقع، والحاويات، والحافظات، وما إلى ذلك، في أدوات الدقة.
في صناعة الساعات ، يتم استخدام رقائق الزعفران في جوهر الحركة المتذبذبة ، وغطاء الساعة ، والحافظة ، وما إلى ذلك ، مما يحسن مقاومة الخدش ، وحماية الأشعة فوق البنفسجية ، والجمالية.
3المنتجات الإلكترونية:
تستخدم في زجاج حماية كاميرات الهواتف المحمولة، حماية لوحة، أجهزة استشعار بصمات الأصابع، الخ
يزيد من صلابة المنتج وشفافيته ومقاومته للارتداء ، ويجد تطبيقًا واسعًا في سوق الإلكترونيات الراقية.
مقدمة لطرق الكريستال الطويل من الزفير
منذ أن تم الحصول على أول حجر كريم اصطناعي باستخدام طريقة اندماج اللهب في عام 1902 ، استمرت تقنيات مختلفة لنمو بلور الزعفرة الاصطناعي في التطور ،مما أدى إلى أكثر من 12 طريقة نمو بلورية مثل طريقة اندماج اللهب، طريقة تشوكرالسكي، والطريقة الحرارية المائية. كل من هذه الطرق لها مزاياها وعيوبها الخاصة، مع تطبيقات مختلفة في مختلف المجالات.وتشمل العمليات الصناعية الرئيسية المستخدمة حاليًا طريقة الحرارة المائية، طريقة Czochralski ، طريقة نمو الفيلم المغذى بالفيلم (EFG) المحددة على الحافة ، وطريقة تجميد التدرج الأفقي الرأسي (VHGF).سيقدم القسم التالي طرق نمو بلورات نموذجية للزفير.
1طريقة الاندماج باللهب (عملية فيرنيول)
عملية فيرنيول، المعروفة أيضا باسم طريقة اندماج اللهب، سميت على اسم الكيميائي الفرنسي الشهير أوغست فيكتور لويس فيرنيول،الذي اخترع أول طريقة قابلة للتطبيق تجارياً لتوليف الأحجار الكريمةفي عام 1902، اكتشف طريقة "اندماج اللهب" التي لا تزال تستخدم اليوم كطريقة فعالة من حيث التكلفة لإنتاج الأحجار الكريمة الاصطناعية.عملية فيرنيول توفر معظم مواد الجواهر المتصالحة للاندماج الشعبيوبالإضافة إلى استخدامها بشكل شائع لتوليف الياقوت والأزرق، يتم استخدام طريقة اندماج اللهب أيضا لإنشاء سبينيل، الكوروندوم الاصطناعي، الياقوت النجم الاصطناعي،الزعفران الزرقاء الاصطناعية، وتيتانات السترونسيوم الاصطناعي، من بين العديد من الأحجار الكريمة الأخرى المتاحة في السوق.
2طريقة كيروبولوس
طريقة كيروبولوس، المعروفة أيضا باسم طريقة كاي، تم اقتراحها لأول مرة من قبل كيروبولوس في عام 1926 لنمو الكريستال.استخدمت هذه الطريقة في المقام الأول لإعداد وأبحاث بلورات الهاليد الكبيرة الحجمفي الستينيات والسبعينيات، مع تحسينات من قبل موساتوف من الاتحاد السوفيتي السابق، تم تطبيق هذه الطريقة على تحضير الزفير أحادي البلور،مما يجعلها واحدة من الأساليب الفعالة لإنتاج بلورات الزعفرة الكبيرة حيث تقصر طريقة Czochralskiالكريستالات المزروعة باستخدام طريقة كيروبولوس تظهر جودة عالية، وتكلفة منخفضة، وهي مناسبة للإنتاج الصناعي على نطاق واسع.
في الوقت الحالي ، يتم زراعة حوالي 70٪ من الركائز الزعفرية المستخدمة في مصابيح LED في جميع أنحاء العالم باستخدام طريقة Kyropoulos أو إصدارات معدلة مختلفة منها.أهمية الركائز الزعفرية في تصنيع LED موثقة بشكل جيد في العديد من الأبحاثفي الصين، أغلب شركات زراعة بلورات الزفير تستخدم طريقة (كيروبولوس)
الكريستالات المزروعة باستخدام هذه الطريقة عادة ما يكون لها مظهر على شكل لؤلؤة ويمكن أن تصل إلى قطرات تصل إلى 10-30 ملم أصغر من قطر الهيكل الذي تزرع فيه.طريقة كيروبولوس هي تقنية فعالة وناضجة لتنمية بلورات الزعفرة الوحيدة ذات القطر الكبير وقد أنتجت بنجاح بلورات الزعفرة ذات الحجم الكبيرفي الأخبار الأخيرة، في 22 ديسمبر،مختبر كريستال شينغ الكريستال وشركته التابعة كريستال رينغ إلكترونيكس تطوّرت معاً أحدث إنجاز مبتكر.
3طريقة نمو الكريستال - طريقة تشوكرالسكي
طريقة تشوكرالسكي، والمعروفة أيضًا باسم عملية تشوكرالسكي أو ببساطة طريقة CZ، هي تقنية يتم فيها سحب بلورة من محلول ذوبان في مهبل.اكتشفها الكيميائي البولندي يان تشوكرالسكي في عام 1916، تم تطويرها من قبل مختبرات بيل في الولايات المتحدة في عام 1950 لزراعة الجيرمانيوم البلورية الواحدة. مع مرور الوقت،وقد اعتمدته علماء آخرون لزراعة البلورات الأحادية أشباه الموصلات مثل السيليكونهذه الطريقة قادرة على زراعة بلورات الأحجار الكريمة الهامة مثل الزعفران الخالية من اللون، الروبين، غرانيت الألومنيوم اليتريوم، غرانيت الغادولينيوم الغاليوم,(سبينيل) و (سبينيل)
طريقة تشوكرالسكي هي واحدة من أهم الطرق لزراعة بلورات فردية من ذوبان.الطريقة الأكثر شيوعا Czochralski المستخدمة للتطبيقات على نطاق واسع هو طريقة Czochralski الهوائية التي يتم تسخينها عن طريق الحثيختلف اختيار مادة التخزين اعتماداً على الكريستال الذي يتم زراعته ويمكن أن يشمل مواد مثل الإريديوم والموليبدينوم والبلاتين والجرافيت وأكسيدات نقطة الذوبان العالية.في التطبيقات العمليةفي حين أن صهاريج الإريديوم لديها أقل تلوث للزفير ولكن مكلفة جدا، مما يؤدي إلى ارتفاع التكاليف.الوعاءات من التونغستين والموليبدينوم أرخص ولكن قد تسبب المزيد من التلوث.
تتضمن عملية نمو الكريستال في طريقة Czochralski-CZ تسخين المادة الخام إلى نقطة الذوبان لتشكيل ذوبان ، ثم استخدام بذرة بلورية واحدة للاتصال بسطح الذوبان.الفرق في درجة الحرارة في الواجهة الصلبة السائلة بين البذور والذوبان يسبب انخفاض درجة البردونتيجة لذلك، يبدأ الذوبان في التجمد على سطح البذور، ونمو بلورة واحدة بنفس الهيكل الذي توجد عليه البذور.يتم سحب البذور ببطء إلى الأعلى بمعدل خاضع للسيطرة أثناء تدويرها، مما يسمح للذوبان أن يتصلب تدريجياً في الواجهة السائلة الصلبة للبذور ، وتشكيل بلاط بلور واحد مع التماثل المحوري.
4طريقة EFG - النمو الذي يتم تغذيته بالفيلم المحدد على الحافة
طريقة نمو الفيلم المحدد بالحافة (EFG) ، التي اخترعها لأول مرة بشكل مستقل هارولد لابيل من المملكة المتحدة و ستيبانوف من الاتحاد السوفيتي في الستينيات ،هي تقنية تشكيل قريبة من الشبكة التي تنطوي على زراعة البلورات الفارغة مباشرة من مادة صهرهذه الطريقة هي تنوع من طريقة Czochralski وتقدم العديد من المزايا على تقنيات نمو البلورات التقليدية.
ويتجاوز EFG الحاجة إلى معالجة ميكانيكية واسعة النطاق للبلورات الاصطناعية في الإنتاج الصناعي، مما يؤدي إلى توفير المواد وخفض تكاليف الإنتاج.يسمح للنمو المباشر من البلورات في الأشكال المطلوبة، مما يلغي الحاجة إلى عمليات تشكيل واسعة النطاق.
واحدة من المزايا الرئيسية لمنهج EFG هي كفاءته المادية
5طريقة HEM - طريقة مبادلة الحرارة
في عام 1969، اخترع F. Schmid و D. Viechnicki طريقة نمو بلورية جديدة تعرف باسم طريقة Schmid-Viechnicki، وأعيد تسميتها فيما بعد طريقة مبادل الحرارة (HEM) في عام 1972.طريقة HEM تتميز بأنها واحدة من أكثر التقنيات نضجاً لزراعة الحجم الكبير، الزعفران عالية الجودة ، مع اتجاهات نمو البلورات على طول المحور ، محور m ، أو محور r ، باستخدام الاتجاه المحوري عادة.
المبدأ: تستخدم طريقة HEM مبادلة حرارة لإزالة الحرارة ، مما يخلق تراجع درجة الحرارة الرأسي داخل منطقة نمو الكريستال ، حيث تكون المنطقة السفلية أكثر برودة من المنطقة العليا.يتم التحكم في هذا التدرج عن طريق ضبط تدفق الغاز (عادة الهيليوم) داخل مبادل الحرارة وتغيير قوة التسخين لتسهيل التصلب التدريجي للذوبان من أسفل إلى أعلى، تشكيل بلورة.
ميزة ملحوظة لعملية HEM ، على عكس طرق نمو البلورات الأخرى ، هي أن الواجهة الصلبة السائلة غارقة تحت سطح الذوبان.هذا الغرق يساعد على قمع الاضطرابات الحرارية والميكانيكية، مما يؤدي إلى تراجع درجة الحرارة المتساوية في الواجهة، وتعزيز نمو بلورة حتى. هذه بيئة نمو متساوية يعزز التجانس الكيميائي للبلورة،مما يؤدي إلى بلورات ذات جودة أعلىوبالإضافة إلى ذلك، لأن التسخين في الموقع هو جزء من دورة تجميد HEM، فإن كثافة العيب غالبا ما تكون أقل مقارنة بالطرق الأخرى.
القدرة على زراعة المواد في أشكال خاصة مختلفة. ومع ذلك، فإن الحد من مستويات العيوب لا يزال تحديًا. ونتيجة لذلك، يستخدم EFG بشكل أكثر شيوعًا لزراعة المواد غير القياسية.مع التقدم في التكنولوجيا في السنوات الأخيرة، وجدت EFG أيضًا تطبيقات في المواد المستخدمة في الترسب الكيميائي للأبخرة المعدنية العضوية (MOCVD) الركائز الشوكية إلى حد ما.
الأسئلة الشائعة
س:ما هي مزايا استخدام رقائق الزعفران في التطبيقات الإلكترونية؟
أ:توفر رقائق الزعفران فوائد مثل التوصيل الحراري العالي والعزل الكهربائي والحصانة الكيميائية ومقاومة درجات الحرارة العاليةتصنيعها مناسبة للاستخدام في الأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة، مصابيح LED، ومكونات RF.
س:هل يمكن استخدام رقائق الزعفر في التطبيقات عالية درجة الحرارة، وما هي الخصائص المحددة التي تجعلها مناسبة لهذه البيئات؟
أ:رقائق الزعفران مثالية لتطبيقات درجات الحرارة العالية بسبب نقطة انصهارها العالية (حوالي 2054 درجة مئوية) ، والقيادة الحرارية الممتازة، والاستقرار الحراري.هذه الخصائص تسمح للأقراص الزعفرانية بالحفاظ على سلامتها الهيكلية وأدائها في ظروف الحرارة القاسية.
توصية المنتج
2.Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C الطائرة 3 بوصة سفير وافرز الركيزة