كل الفئات

فائقة التوصيل الركيزة أحادي البلورية

غاليوم نتريد رقاقة

اتصل بنا

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

اتصل الآن

كل الفئات

فائقة التوصيل الركيزة أحادي البلورية

Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy

اسم العلامة التجارية:	ZMSH
رقم الطراز:	رقاقة الياقوت
الـ MOQ:	10 قطع
سعر:	5usd
تفاصيل التعبئة:	حزمة فراغ
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات تفاصيل

وصف المنتج

معلومات تفاصيل

مكان المنشأ:

الصين

إصدار الشهادات:

القطر:

150 ± 0.1 ملم

سماكة:

350±15μm500±15μm1000±15μm

خشونة:

ra ≤ 0.2 نانومتر

الاعوجاج:

≤ 15 ميكرومتر

القدرة على العرض:

حسب الحالة

وصف المنتج

Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy Product Description: Our 6 inch sapphire wafer is made of high-purity single-crystal aluminum oxide (α-Al₂O₃), with standard C-plane (0001) orientation, and optional R-plane, A-plane and M-plane cuts. It is available in single-side polished (SSP) and double-side polished (DSP) finishes, with epi-ready surface quality. Standard thickness ranges from 430μm to 1300μm, with total

العلامات:

الركيزة الياقوت

نوافذ الياقوت الضوئية

كربيد السيليكون رقاقة

أنبوب الياقوت

ركيزة أشباه الموصلات

حجر جوهرة اصطناعي

قطع سيراميك

معدات المختبرات العلمية

حالة الياقوت كريستال ووتش

صندوق ناقل بسكويت الويفر

فائقة التوصيل الركيزة أحادي البلورية

غاليوم نتريد رقاقة

الركيزة الياقوت

نوافذ الياقوت الضوئية

كربيد السيليكون رقاقة

أنبوب الياقوت

ركيزة أشباه الموصلات

حجر جوهرة اصطناعي

قطع سيراميك

معدات المختبرات العلمية

حالة الياقوت كريستال ووتش

صندوق ناقل بسكويت الويفر

فائقة التوصيل الركيزة أحادي البلورية

غاليوم نتريد رقاقة

تفاصيل المنتجات