تفاصيل المنتجات

بيت المنتجات

ركيزة أشباه الموصلات

BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch AlN AlN AlN AlN Nitride Wafer

كل الفئات

فائقة التوصيل الركيزة أحادي البلورية

اتصل بنا

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

اتصل الآن

كل الفئات

فائقة التوصيل الركيزة أحادي البلورية

BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch AlN AlN AlN AlN Nitride Wafer

اسم العلامة التجارية:	ZMKJ
رقم الطراز:	UTI-AlN-1inch كريستال أحادي
الـ MOQ:	1 قطع
السعر:	by case
تفاصيل التعبئة:	حاوية بسكويت ويفر واحدة في غرفة التنظيف
شروط الدفع:	T / T ، ويسترن يونيون ، باي بال

معلومات تفاصيل

وصف المنتج

معلومات تفاصيل

مكان المنشأ:

الصين

مواد:

الكريستال AlN

سماكة:

400 ميكرومتر

توجيه:

0001

تطبيق:

الأجهزة الإلكترونية عالية الطاقة / عالية التردد

التطبيق 2:

منشار 5G / أجهزة BAW

رع:

0.5 نانومتر

سطح مصقول:

آل وجه cmp ، N- وجه النائب

نوع الكريستال:

2 ح

القدرة على العرض:

10 قطع / شهر

إبراز:

رقاقة نيتريد الألومنيوم AlN

رقاقة نيتريد الألومنيوم 50.8 مم

أجهزة BAW رقاقة AlN

وصف المنتج

dia50.8mm 2inch 1inch AlN الركيزة / AlN رقائق الكريستال الواحدة

10x10mm أو قطر 10mm dia25.4mm dia30mm ، dia45mm ، dia50.8mm AlN الركيزة AlN رقائق الكريستال المفردة

تطبيقات قالب AlN

لقد طورنا سلسلة من العمليات والتقنيات المسجلة الملكية لتصنيعها

قوالب AlN عالية الجودة.في الوقت الحاضر ، لدينا OEM هي الشركة الوحيدة في جميع أنحاء العالم التي يمكنها إنتاج AlN 2-6 بوصة

قوالب في قدرة الإنتاج الصناعي على نطاق واسع بسعة 300000 قطعة في عام 2020 لمواجهة المتفجرات

طلب السوق من UVC-LED ، والاتصالات اللاسلكية 5G ، وأجهزة الكشف عن الأشعة فوق البنفسجية وأجهزة الاستشعار ، إلخ

نحن نوفر للعملاء حاليًا نيتروجين عالي الجودة قياسي 10x10mm / Φ10mm / Φ15mm / Φ20mm / Φ25.4mm / Φ30mm / Φ50.8mm
منتجات الركيزة البلورية أحادية الألومنيوم ، ويمكنها أيضًا تزويد العملاء بـ 10-20 مم غير قطبية
الركيزة البلورية المفردة من نيتريد الألومنيوم M ، أو تخصيص 5 مم -50.8 مم غير قياسي للعملاء
ركيزة بلورية أحادية نيتريد الألومنيوم المصقول.يستخدم هذا المنتج على نطاق واسع كمواد ركيزة عالية الجودة
تستخدم في رقائق UVC-LED ، وكاشفات الأشعة فوق البنفسجية ، وأشعة الليزر فوق البنفسجية ، ومختلف الطاقة العالية
/ مجال جهاز إلكتروني عالي التردد / درجة حرارة عالية.

المواصفات المميزة

نموذجUTI-AlN-10x10B- بلورة أحادية
القطر 10x10 ± 0.5 مم； أو dia10mm ، dia25.4mm ، أو dia30mm ، أو dia45mm ؛
سمك الركيزة (ميكرومتر) 400± 50
توجيهالمحور C [0001] +/- 0.5 درجة

جودة درجة S- درجة (فائقة) P- درجة (إنتاج) R- درجة (بحث)

شقوقلا شيء لا شيء <3 مم
FWHM-2θXRD @ (0002) <150<300 <500
FWHM-HRXRD @ (10-12) <100<200 <400
خشونة السطح [5 × 5 م] (نانومتر)الوجه CMP <0.5nm ؛N- الوجه (السطح الخلفي) MP <1.2um ؛
المساحة الصالحة للاستخدام 90٪
الامتصاصية <50 ； <70 <100
الاتجاه الأول للطول {10-10} ± 5 °
TTV (ميكرومتر)≤30
القوس (ميكرومتر)≤30
الاعوجاج (ميكرومتر)-30 ~ 30
ملاحظة: قد تختلف نتائج التوصيف هذه اختلافًا طفيفًا اعتمادًا على المعدات و / أو البرامج المستخدمة

BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch AlN AlN AlN AlN Nitride Wafer 1

BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch AlN AlN AlN AlN Nitride Wafer 2

BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch AlN AlN AlN AlN Nitride Wafer 3

BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch AlN AlN AlN AlN Nitride Wafer 4

عنصر النجاسة ثاني أكسيد الكربون Si B Na WPS Ti Fe

PPMW27 90 5.4 0.92 0.23 <0.1 <0.1 <0.5 0.46 <0.5

هيكل بلوري	Wurtzite
ثابت شعرية (Å)	أ = 3.112 ، ج = 4.982
نوع حزام التوصيل	فجوة الحزمة المباشرة
الكثافة (جم / سم 3)	3.23
الصلادة السطحية (اختبار Knoop)	800
نقطة الانصهار (℃)	2750 (10-100 بار في N2)
الموصلية الحرارية (W / m · K)	320
طاقة فجوة النطاق (eV)	6.28
تنقل الإلكترون (V · s / cm2)	1100
مجال الانهيار الكهربائي (MV / cm)	11.7

BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch AlN AlN AlN AlN Nitride Wafer 5

العلامات:

الركيزة الياقوت

نوافذ الياقوت الضوئية

كربيد السيليكون رقاقة

أنبوب الياقوت

غاليوم نتريد رقاقة

ركيزة أشباه الموصلات

حجر جوهرة اصطناعي

قطع سيراميك

معدات المختبرات العلمية

حالة الياقوت كريستال ووتش

صندوق ناقل بسكويت الويفر

فائقة التوصيل الركيزة أحادي البلورية

الركيزة الياقوت

نوافذ الياقوت الضوئية

كربيد السيليكون رقاقة

أنبوب الياقوت

غاليوم نتريد رقاقة

ركيزة أشباه الموصلات

حجر جوهرة اصطناعي

قطع سيراميك

معدات المختبرات العلمية

حالة الياقوت كريستال ووتش

صندوق ناقل بسكويت الويفر

فائقة التوصيل الركيزة أحادي البلورية

تفاصيل المنتجات

BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch AlN AlN AlN AlN Nitride Wafer

الركيزة الياقوت

نوافذ الياقوت الضوئية

كربيد السيليكون رقاقة

أنبوب الياقوت

غاليوم نتريد رقاقة

ركيزة أشباه الموصلات

حجر جوهرة اصطناعي

قطع سيراميك

معدات المختبرات العلمية

حالة الياقوت كريستال ووتش

صندوق ناقل بسكويت الويفر

فائقة التوصيل الركيزة أحادي البلورية

الركيزة الياقوت

نوافذ الياقوت الضوئية

كربيد السيليكون رقاقة

أنبوب الياقوت

غاليوم نتريد رقاقة

ركيزة أشباه الموصلات

حجر جوهرة اصطناعي

قطع سيراميك

معدات المختبرات العلمية

حالة الياقوت كريستال ووتش

صندوق ناقل بسكويت الويفر

فائقة التوصيل الركيزة أحادي البلورية

BAW Devices Dia 50.8mm 1 Inch AlN AlN AlN AlN Nitride Wafer

رقاقة نيتريد الألومنيوم AlN

رقاقة نيتريد الألومنيوم 50.8 مم

أجهزة BAW رقاقة AlN