 
|
أحادي البلورة أحادي البلورة أشباه الموصلات الركيزة إنديوم أرسينيد InAs الركيزة
تفاصيل المنتج:
| مكان المنشأ: | الصين |
| اسم العلامة التجارية: | zmkj |
| رقم الموديل: | زرنيخيد الإنديوم (InAs) |
شروط الدفع والشحن:
| الحد الأدنى لكمية: | 3 قطع |
|---|---|
| الأسعار: | by case |
| تفاصيل التغليف: | حزمة بسكويت ويفر واحدة في غرفة تنظيف 1000 درجة |
| وقت التسليم: | 2-4 أسابيع |
| شروط الدفع: | تي / تي ، ويسترن يونيون |
| القدرة على العرض: | 500 قطعة |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| مادة: | زرنيخيد الإنديوم (InAs) بلور أحادي البلورية | طريقة النمو: | vFG |
|---|---|---|---|
| مقاس: | 2-4 بوصة | سماكة: | 300-800 ميكرومتر |
| طلب: | III-V مادة أشباه الموصلات ذات فجوة الحزمة المباشرة | سطح: | ssp / dsp |
| طَرد: | مربع رقاقة واحدة | ||
| تسليط الضوء: | الركيزة أحادي البلورة أشباه الموصلات,رقاقة بلورية أحادية فوسفيد الإنديوم,أشباه الموصلات في الركيزة |
||
منتوج وصف
2-4 بوصة الغاليوم أنتيمونيد GaSb الركيزة أحادية البلورة أحادية البلورة لأشباه الموصلات
زرنيخيد الإنديوم InAs الركيزة أحادية البلورة أحادية البلورة أشباه الموصلات
الكريستال أحادي أشباه الموصلات الركيزة إنديوم أرسينيد InAs رقاقة
ركيزة InAs
| اسم المنتج | بلورة زرنيخيد الإنديوم (InAs) |
| مواصفات المنتج |
طريقة النمو: تشيكوسلوفاكيا اتجاه الكريستال: <100> نوع الموصل: نوع N. نوع المنشطات: غير منشط تركيز الناقل: 2 ~ 5E16 / سم 3 التنقل:> 18500 سم 2 / VS أبعاد المواصفات العامة: dia4 "× 0.45 1sp |
| الحزمة القياسية | 1000 غرفة نظيفة ، 100 كيس نظيف أو صندوق مفرد |
|
نمو
|
LEC
|
|
قطر الدائرة
|
2/2 بوصة
|
|
سماكة
|
500-625 ميكرومتر
|
|
توجيه
|
<100> / <111> / <110> أو غيرها
|
|
خارج الاتجاه
|
من 2 ° إلى 10 °
|
|
سطح
|
SSP / DSP
|
|
خيارات مسطحة
|
EJ أو SEMI.الأمراض المنقولة جنسيا.
|
|
TTV
|
<= 10 ميكرومتر
|
|
EPD
|
<= 15000 سم -2
|
|
درجة
|
Epi مصقول الصف / الصف الميكانيكي
|
|
طَرد
|
طَرد
|
|
Dopant متاح
|
S / Zn / Undoped
|
|
نوع التوصيل
|
غير متوفر
|
|
تركيز
|
1E17 - 5E18 سم -3
|
|
إمكانية التنقل
|
100 ~ 25000 سم 2 / مقابل
|
يمكن زراعة InAsSb / In-AsPSb و InNAsSb وغيرها من المواد غير المتجانسة على بلورة واحدة InAs كالركيزة ، ويمكن تصنيع جهاز انبعاث ضوء الأشعة تحت الحمراء بطول موجي من 2 إلى 14 ميكرومتر.يمكن أيضًا تطوير مادة هيكل الشبكة الفائقة AlGaSb بشكل فوق محوري باستخدام ركيزة بلورية مفردة InAs.ليزر شلال الكم منتصف الأشعة تحت الحمراء.تتمتع أجهزة الأشعة تحت الحمراء هذه بآفاق جيدة للتطبيق في مجالات مراقبة الغاز ، واتصالات الألياف منخفضة الخسارة ، وما إلى ذلك. بالإضافة إلى ذلك ، تتمتع بلورات InAs المنفردة بحركة إلكترون عالية وهي مواد مثالية لصنع أجهزة Hall.
سمات:
1. يزرع البلور عن طريق تكنولوجيا الرسم المستقيم السائل المختوم (LEC) ، مع التكنولوجيا الناضجة والأداء الكهربائي المستقر.
2 ، باستخدام أداة اتجاه الأشعة السينية للتوجيه الدقيق ، يكون الانحراف في اتجاه البلورة ± 0.5 درجة فقط
3 ، الرقاقة مصقولة بواسطة تقنية تلميع ميكانيكي كيميائي (CMP) ، خشونة السطح <0.5 نانومتر
4 ، لتحقيق متطلبات "المربع المفتوح جاهز للاستخدام"
5 ، وفقا لمتطلبات المستخدم والمواصفات الخاصة تجهيز المنتج
| كريستال | منشط | يكتب |
تركيز حامل الأيونات سم 3 |
التنقل (cm2 / Vs) | MPD (سم -2) | مقاس | |
| InAs | un-dope | ن | 5 * 1016 | ³2 * 104 | <5 * 104 |
Φ2 ″ × 0.5 مم Φ3 ″ × 0.5 مم |
|
| InAs | Sn | ن | (5-20) * 1017 | > 2000 | <5 * 104 |
Φ2 ″ × 0.5 مم Φ3 ″ × 0.5 مم |
|
| InAs | Zn | ص | (1-20) * 1017 | 100-300 | <5 * 104 |
Φ2 ″ × 0.5 مم Φ3 ″ × 0.5 مم |
|
| InAs | س | ن | (1-10) * 1017 | > 2000 | <5 * 104 |
Φ2 ″ × 0.5 مم Φ3 ″ × 0.5 مم |
|
| الحجم (مم) | يمكن تخصيص Dia50.8x0.5mm ، 10 × 10 × 0.5mm ، 10 × 5 × 0.5mm | ||||||
| را | خشونة السطح (رع): <= 5A | ||||||
| تلميع | جانب واحد أو مزدوج مصقول | ||||||
| طَرد | كيس تنظيف بلاستيكي بدرجة 100 في 1000 غرفة تنظيف | ||||||
---التعليمات -
س: هل أنت شركة تجارية أو مصنع؟
ج: zmkj هي شركة تجارية ولكن لديها مصنع الياقوت
كمورد لرقائق المواد شبه الموصلة لمجموعة واسعة من التطبيقات.
س: ما هي مدة التسليم؟
ج: بشكل عام يكون من 5-10 أيام إذا كانت البضاعة في المخزون.أو 15-20 يومًا إذا لم تكن البضاعة
في المخزون ، حسب الكمية.