سيفير 8 بوصة سمك 675 م م إلى 775 م م م نوع ن نوع 111 جانب مزدوج مطلي / جانب واحد مطلي

8 بوصة Si Wafer Si Substrate 111 P النوع N النوع للأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS) أو أجهزة أشباه الموصلات أو المكونات الضوئية وأجهزة الاستشعار

وصف المنتج: رقاقة السيليكون 8 بوصات مع (111) التوجه البلورية هي عالية الجودة، مواد بلورية واحدة تستخدم على نطاق واسع في تصنيع أشباه الموصلات.(111) التوجه الكريستالي يوفر خصائص كهربائية وميكانيكية محددة مفيدة لمختلف التطبيقات عالية الأداء.

الخصائص الرئيسية:

• قطر:8 بوصات (200 ملم).
• التوجه الكريستالي:(111) ، وتقدم خصائص سطحية فريدة من نوعها، مثالية لبعض عمليات أشباه الموصلات وخصائص الجهاز.
• نظافة عالية:تصنيع مع مستوى عال من النقاء لضمان التكافؤ وانخفاض معدلات العيوب، وهو أمر بالغ الأهمية لتطبيقات أشباه الموصلات والالكترونيات الدقيقة.
• جودة السطح:عادةً ما تكون مطلية أو نظيفة لتلبية متطلبات السطح الصارمة لتصنيع الجهاز.

التطبيقات:

• أجهزة أشباه الموصلات القوية:يتم تفضيل التوجه (111) في بعض أجهزة الطاقة بسبب الجهد العالي للتفكيك والخصائص الحرارية المواتية.
• MEMS (أنظمة ميكرو إلكتروميكانيكية):غالبًا ما تستخدم في أجهزة الاستشعار والمحركات والأجهزة الأخرى على نطاق صغير ، وذلك بفضل بنيتها البلورية المحددة جيدًا.
• أجهزة ألكترونية بصرية:مناسبة للتطبيقات في أجهزة إطلاق الضوء وأجهزة الكشف الضوئي ، حيث تكون جودة الكريستال العالية مهمة.
• الخلايا الشمسية:يستخدم السيليكون الموجه إلى (111) أيضًا في الخلايا الضوئية ذات الكفاءة العالية ، والتي تستفيد من زيادة امتصاص الضوء وتحرك الناقل.

صورة تطبيق سيفير:

التخصيصات:

• السماكة والمقاومةيمكن تخصيصها وفقًا لمواصفات العميل لتلبية متطلبات التطبيقات الخاصة.
• نوع المنشطات:النوع P أو النوع N الدوبينج متاح لضبط الخصائص الكهربائية للوافر.

هذا النوع من رقائق السيليكون أمر حاسم لمجموعة واسعة من تطبيقات أشباه الموصلات ، مما يوفر توازنًا بين القوة الميكانيكية والأداء الكهربائي وسهولة المعالجة.